[Chaoying Electronics investirá 2,086 bilhões de yuans em Huangshi para o Projeto P3 de PCBs de Alta Multicamada e HDI]

A Associação Chinesa de Automóveis de Passageiros (CPCA) divulgou dados que mostram que, de 1 a 31 de julho, as vendas a retalho de veículos de passageiros de nova energia na China totalizaram 970.000 unidades, uma queda de 2% em termos anuais e de 4% face ao mês anterior, com as vendas acumuladas no ano a atingir 5,675 milhões de unidades, uma descida de 12% em termos anuais; de 1 a 31 de julho, as vendas por grosso de veículos de passageiros de nova energia pelos fabricantes atingiram 1,463 milhões de unidades, um aumento de 24% em termos anuais, mas uma queda de 1% face ao mês anterior, com as vendas acumuladas no ano a atingir 8,251 milhões de unidades, um crescimento de 8% em termos anuais. De 1 a 31 de julho, a taxa de penetração no retalho do mercado nacional de veículos de nova energia foi de 64,4%; a taxa de penetração por grosso de veículos de passageiros de nova energia pelos fabricantes foi de 65,3%.

A Samsung apresentou o protótipo do V10 Bonding V-NAND (BV-NAND) e os primeiros modelos conceituais do setor das arquiteturas zHBM e zNAND-O na conferência Future of Memory and Storage (FMS) realizada em Santa Clara, Califórnia, EUA. O chip BV-NAND possui mais de 400 camadas e adota uma nova arquitetura de colagem de wafers para aumentar a densidade e o desempenho da memória. Em comparação com o V9 NAND da geração anterior, ele oferece densidade de memória aproximadamente 58% maior, além de melhorias significativas no desempenho de leitura, gravação e E/S, atendendo às demandas de sistemas de IA por soluções de memória de maior capacidade e mais eficientes energeticamente. Para as arquiteturas zHBM e zNAND-O, a Samsung obtém maior capacidade de dados em uma área menor ao empilhar verticalmente as células de memória. Diferente da HBM convencional, que é empacotada lado a lado com os processadores de IA, a zHBM empilha a memória verticalmente sobre o acelerador de IA, encurtando as distâncias de transferência de dados, aumentando a largura de banda e melhorando a eficiência energética. A Samsung afirmou que sua tecnologia de colagem de wafers deve oferecer mais de 10 vezes a densidade de memória da HBM5 convencional, melhorar a eficiência energética em 3 vezes e reduzir a resistência térmica em mais da metade.

O jornalista independente de tecnologia Tim Culpan destacou que os wafers do processador A20 Pro, produzidos pelo processo N2 da TSMC, apresentam boa produtividade e capacidade suficiente, com a produção do processador basicamente pronta, e que esse processo não é um gargalo para os envios do iPhone. No entanto, devido a uma grave escassez de DRAM, os wafers já concluídos não podem ser encapsulados, gerando acúmulo de estoque e pressionando a Apple e sua cadeia de suprimentos. Faltando apenas semanas para o lançamento da linha iPhone 18 e do iPhone Ultra dobrável, a Apple e seus montadores buscam urgentemente mais chips de DRAM para dispositivos móveis. Em relação ao fornecimento de DRAM, a Apple atualmente depende sobretudo da Micron Technology, mas também adquire da SK Hynix e Samsung.