[CPCA: De 1 a 31 de julho, as vendas no varejo do mercado nacional de veículos de passageiros de nova energia atingiram 970 mil unidades, queda de 2% em relação ao ano anterior]

A Samsung apresentou o protótipo do V10 Bonding V-NAND (BV-NAND) e os primeiros modelos conceituais do setor das arquiteturas zHBM e zNAND-O na conferência Future of Memory and Storage (FMS) realizada em Santa Clara, Califórnia, EUA. O chip BV-NAND possui mais de 400 camadas e adota uma nova arquitetura de colagem de wafers para aumentar a densidade e o desempenho da memória. Em comparação com o V9 NAND da geração anterior, ele oferece densidade de memória aproximadamente 58% maior, além de melhorias significativas no desempenho de leitura, gravação e E/S, atendendo às demandas de sistemas de IA por soluções de memória de maior capacidade e mais eficientes energeticamente. Para as arquiteturas zHBM e zNAND-O, a Samsung obtém maior capacidade de dados em uma área menor ao empilhar verticalmente as células de memória. Diferente da HBM convencional, que é empacotada lado a lado com os processadores de IA, a zHBM empilha a memória verticalmente sobre o acelerador de IA, encurtando as distâncias de transferência de dados, aumentando a largura de banda e melhorando a eficiência energética. A Samsung afirmou que sua tecnologia de colagem de wafers deve oferecer mais de 10 vezes a densidade de memória da HBM5 convencional, melhorar a eficiência energética em 3 vezes e reduzir a resistência térmica em mais da metade.

O jornalista independente de tecnologia Tim Culpan destacou que os wafers do processador A20 Pro, produzidos pelo processo N2 da TSMC, apresentam boa produtividade e capacidade suficiente, com a produção do processador basicamente pronta, e que esse processo não é um gargalo para os envios do iPhone. No entanto, devido a uma grave escassez de DRAM, os wafers já concluídos não podem ser encapsulados, gerando acúmulo de estoque e pressionando a Apple e sua cadeia de suprimentos. Faltando apenas semanas para o lançamento da linha iPhone 18 e do iPhone Ultra dobrável, a Apple e seus montadores buscam urgentemente mais chips de DRAM para dispositivos móveis. Em relação ao fornecimento de DRAM, a Apple atualmente depende sobretudo da Micron Technology, mas também adquire da SK Hynix e Samsung.

A Tesla (TSLA.O) anunciou que o projeto "Terafab" foi oficialmente implantado no Condado de Grimes, Texas. Lançado em parceria no início deste ano pela SpaceX e pela Tesla, o projeto é o maior plano de fabricação de chips do mundo, com o objetivo de preencher a enorme lacuna entre a capacidade atual de fornecimento global de chips e a futura demanda por computação. De fato, o antecessor do Terafab iniciou as obras em abril no campus norte da Gigafactory do Texas — uma nova fábrica de wafers para P&D. Agora, o projeto foi oficialmente atualizado e instalado no Condado de Grimes, onde será desenvolvido como uma fábrica avançada de wafers semicondutores. A demanda combinada de chips da SpaceX e da Tesla deve ultrapassar 1 terawatt (TW) de capacidade computacional, uma escala que supera em muito a capacidade atual de fornecimento global. Agradecemos profundamente aos nossos atuais fornecedores de chips e os incentivamos a expandir sua capacidade sempre que possível, mas a crescente lacuna entre oferta e demanda no futuro é o principal motivo por trás da existência do projeto Terafab. O Terafab visa fabricar nova capacidade computacional em escala e velocidade sem precedentes. O projeto planeja construir uma fábrica verticalmente integrada com mais de 100 milhões de pés quadrados de área de produção, abrangendo fabricação, encapsulamento e teste de chips lógicos e de memória avançados. A consolidação desses processos em uma única instalação facilita melhorias iterativas rápidas e acelera a implantação de nova capacidade computacional.