Capacidade do processo N2 da TSMC é suficiente, mas há escassez de DRAM; estoque do iPhone 18 da Apple enfrenta pressões

A Associação Chinesa de Automóveis de Passageiros (CPCA) divulgou dados que mostram que, de 1 a 31 de julho, as vendas a retalho de veículos de passageiros de nova energia na China totalizaram 970.000 unidades, uma queda de 2% em termos anuais e de 4% face ao mês anterior, com as vendas acumuladas no ano a atingir 5,675 milhões de unidades, uma descida de 12% em termos anuais; de 1 a 31 de julho, as vendas por grosso de veículos de passageiros de nova energia pelos fabricantes atingiram 1,463 milhões de unidades, um aumento de 24% em termos anuais, mas uma queda de 1% face ao mês anterior, com as vendas acumuladas no ano a atingir 8,251 milhões de unidades, um crescimento de 8% em termos anuais. De 1 a 31 de julho, a taxa de penetração no retalho do mercado nacional de veículos de nova energia foi de 64,4%; a taxa de penetração por grosso de veículos de passageiros de nova energia pelos fabricantes foi de 65,3%.

A Samsung apresentou o protótipo do V10 Bonding V-NAND (BV-NAND) e os primeiros modelos conceituais do setor das arquiteturas zHBM e zNAND-O na conferência Future of Memory and Storage (FMS) realizada em Santa Clara, Califórnia, EUA. O chip BV-NAND possui mais de 400 camadas e adota uma nova arquitetura de colagem de wafers para aumentar a densidade e o desempenho da memória. Em comparação com o V9 NAND da geração anterior, ele oferece densidade de memória aproximadamente 58% maior, além de melhorias significativas no desempenho de leitura, gravação e E/S, atendendo às demandas de sistemas de IA por soluções de memória de maior capacidade e mais eficientes energeticamente. Para as arquiteturas zHBM e zNAND-O, a Samsung obtém maior capacidade de dados em uma área menor ao empilhar verticalmente as células de memória. Diferente da HBM convencional, que é empacotada lado a lado com os processadores de IA, a zHBM empilha a memória verticalmente sobre o acelerador de IA, encurtando as distâncias de transferência de dados, aumentando a largura de banda e melhorando a eficiência energética. A Samsung afirmou que sua tecnologia de colagem de wafers deve oferecer mais de 10 vezes a densidade de memória da HBM5 convencional, melhorar a eficiência energética em 3 vezes e reduzir a resistência térmica em mais da metade.

A Tesla (TSLA.O) anunciou que o projeto "Terafab" foi oficialmente implantado no Condado de Grimes, Texas. Lançado em parceria no início deste ano pela SpaceX e pela Tesla, o projeto é o maior plano de fabricação de chips do mundo, com o objetivo de preencher a enorme lacuna entre a capacidade atual de fornecimento global de chips e a futura demanda por computação. De fato, o antecessor do Terafab iniciou as obras em abril no campus norte da Gigafactory do Texas — uma nova fábrica de wafers para P&D. Agora, o projeto foi oficialmente atualizado e instalado no Condado de Grimes, onde será desenvolvido como uma fábrica avançada de wafers semicondutores. A demanda combinada de chips da SpaceX e da Tesla deve ultrapassar 1 terawatt (TW) de capacidade computacional, uma escala que supera em muito a capacidade atual de fornecimento global. Agradecemos profundamente aos nossos atuais fornecedores de chips e os incentivamos a expandir sua capacidade sempre que possível, mas a crescente lacuna entre oferta e demanda no futuro é o principal motivo por trás da existência do projeto Terafab. O Terafab visa fabricar nova capacidade computacional em escala e velocidade sem precedentes. O projeto planeja construir uma fábrica verticalmente integrada com mais de 100 milhões de pés quadrados de área de produção, abrangendo fabricação, encapsulamento e teste de chips lógicos e de memória avançados. A consolidação desses processos em uma única instalação facilita melhorias iterativas rápidas e acelera a implantação de nova capacidade computacional.