[GigaDevice GD32A7 автомобильный микроконтроллер завершает техническую адаптацию с Elektrobit EB tresos]

SK Hynix объявила 4-го числа, что совместно с SanDisk выпустила первую стандартную спецификацию для технологии памяти следующего поколения High Bandwidth Flash (HBF). Сообщается, что эта спецификация стала первым результатом, достигнутым примерно за полгода после того, как в августе прошлого года SK Hynix начала сотрудничество с SanDisk по стандартизации HBF, а в феврале этого года был создан альянс. Спецификация определяет две конфигурации ёмкости с использованием стекирования 8- и 16-слойных чипов NAND соответственно и поддерживает максимальный объём 512 ГБ. Также в ней установлены стандарты пропускной способности трёх уровней (Grade 1–3) с возможностями передачи данных примерно от 0,4 ТБ/с до 3 ТБ/с.

Согласно приложению Qichacha, недавно Guangdong Huaxinzhiyuan Technology Co., Ltd. прошла изменения в промышленной и коммерческой регистрации, добавив Beijing Xiaomi Intelligent Manufacturing Equity Investment Fund Partnership (Limited Partnership), OPPO Guangdong Mobile Communications Co., Ltd. и других в качестве акционеров. Общественная информация показывает, что Huaxinzhiyuan фокусируется на разработке и продаже микросхем управления батареями, стремясь к полной локализации таких микросхем.