[Chaoying Electronics đầu tư 2,086 tỷ Nhân dân tệ vào Hoàng Thạch cho dự án bo mạch in nhiều lớp cao và HDI giai đoạn 3]

Hiệp hội Xe khách Trung Quốc (CPCA) công bố dữ liệu cho thấy, từ ngày 1 đến 31 tháng 7, doanh số bán lẻ xe khách năng lượng mới tại Trung Quốc đạt 970 nghìn xe, giảm 2% so với cùng kỳ năm trước và giảm 4% so với tháng trước, với tổng doanh số bán lẻ lũy kế từ đầu năm đạt 5,675 triệu xe, giảm 12% so với cùng kỳ; từ ngày 1 đến 31 tháng 7, sản lượng xe năng lượng mới xuất xưởng bởi các nhà sản xuất đạt 1,463 triệu xe, tăng 24% so với cùng kỳ nhưng giảm 1% so với tháng trước, với tổng sản lượng xuất xưởng lũy kế từ đầu năm đạt 8,251 triệu xe, tăng 8% so với cùng kỳ. Từ ngày 1 đến 31 tháng 7, tỷ lệ thâm nhập bán lẻ của thị trường năng lượng mới trên toàn quốc là 64,4%; tỷ lệ thâm nhập xuất xưởng xe khách năng lượng mới của các nhà sản xuất là 65,3%.

Samsung đã công bố nguyên mẫu V10 Bonding V-NAND (BV-NAND) và các mô hình ý tưởng đầu tiên trong ngành về kiến trúc zHBM và zNAND-O tại hội nghị Future of Memory and Storage (FMS) tổ chức ở Santa Clara, California, Hoa Kỳ. Chip BV-NAND có hơn 400 lớp và áp dụng kiến trúc liên kết wafer mới để tăng cường mật độ bộ nhớ và hiệu suất. So với V9 NAND thế hệ trước, nó đạt mật độ bộ nhớ cao hơn khoảng 58%, cùng với những cải thiện đáng kể về hiệu suất đọc, ghi và I/O, đáp ứng nhu cầu của các hệ thống AI về giải pháp bộ nhớ dung lượng cao hơn, tiết kiệm năng lượng hơn. Đối với kiến trúc zHBM và zNAND-O, Samsung đạt được dung lượng dữ liệu lớn hơn trong diện tích nhỏ hơn bằng cách xếp chồng các ô nhớ theo chiều dọc. Không giống như HBM thông thường được đóng gói song song với bộ xử lý AI, zHBM xếp chồng bộ nhớ theo chiều dọc lên trên bộ tăng tốc AI, nhờ đó rút ngắn khoảng cách truyền dữ liệu, tăng băng thông và nâng cao hiệu quả năng lượng. Samsung cho biết công nghệ liên kết wafer của họ dự kiến sẽ mang lại mật độ bộ nhớ cao hơn 10 lần so với HBM5 thông thường, cải thiện hiệu quả năng lượng gấp 3 lần và giảm hơn một nửa nhiệt trở.

Nhà báo công nghệ độc lập Tim Culpan chỉ ra rằng các tấm wafer bộ xử lý A20 Pro sản xuất trên quy trình N2 của TSMC cho tỷ lệ thành phẩm tốt và công suất đủ, hoạt động sản xuất bộ xử lý cơ bản đã sẵn sàng, và quy trình này không phải là nút thắt ảnh hưởng đến khả năng xuất xưởng iPhone. Tuy nhiên, do tình trạng thiếu hụt nghiêm trọng nguồn cung DRAM, các tấm wafer bộ xử lý đã hoàn thiện không thể đóng gói tiếp, dẫn đến tồn kho tích tụ và tạo áp lực lên kế hoạch dự trữ của Apple cũng như chuỗi cung ứng. Chỉ còn vài tuần nữa là ra mắt dòng iPhone 18 và iPhone Ultra màn hình gập, Apple và các đối tác lắp ráp trong chuỗi cung ứng đang gấp rút tìm kiếm thêm nguồn cung chip DRAM di động. Về nguồn cung DRAM, hiện Apple chủ yếu dựa vào Micron Technology, đồng thời cũng mua từ SK Hynix và Samsung.