Jiuwu LATP vượt qua sạc quá áp 4,62V, thúc đẩy pin thể rắn song song

Điểm chính:

• Chất điện phân LATP độc quyền của Jiuwu Hi‑Tech, ứng dụng trong pin túi NCM811, đã vượt qua bài kiểm tra quá sạc cực đoan (4,62V) và quá xả (0V) theo GB38031‑2020 – không cháy, không khói, không nổ, không phồng, không rò rỉ; mức tăng nhiệt độ ≤5°C.

• Công ty theo đuổi cách tiếp cận song song: oxit (LLZO & LATP) và sulfua (Li₂S độ tinh khiết cao).

• Sản xuất chất điện phân oxit quy mô tấn đang cung cấp cho các nhà sản xuất pin hàng đầu Trung Quốc; dây chuyền thí điểm quy mô 100 tấn đang được mở rộng.

• Tận dụng gần 30 năm kinh nghiệm về màng gốm, Jiuwu đang định vị mình là nhà cung cấp vật liệu chủ chốt cho pin thể rắn.

• 

Lời nói đầu & Kết quả thử nghiệm
Vào ngày 17 tháng 7 năm 2026, Jiuwu công bố chất điện phân rắn LATP của họ đã được sử dụng thành công trong pin túi NCM811/graphite 1Ah (SOC ban đầu 95%). Theo GB38031‑2020, pin đã chịu được:

• Quá sạc đến 4,62V (≈20% năng lượng thêm) – không khói, không cháy, không nổ, không phồng, không rò rỉ; điện áp tự hồi phục sau khi nghỉ.

• Quá xả đến 0V – điện áp giảm mượt mà; mức tăng nhiệt độ ≤ nhiệt độ môi trường +5°C; không biến dạng.

• Xuyên đinh (kim thép 3mm, 8mm/s, theo GB31485‑2015) – không cháy/nổ/khói; mức tăng nhiệt độ <40°C (so với >400°C của pin lỏng).

LATP (Li₁₊ₓAlₓTi₂₋ₓ(PO₄)₃) là oxit loại NASICON có độ dẫn ion 1,2‑1,3×10⁻³ S/cm, cửa sổ điện hóa rộng (>5V), ổn định nhiệt tuyệt vời (>800°C) và ổn định trong không khí. Thử nghiệm này khẳng định hiệu quả của LATP trong việc tăng cường an toàn cho pin năng lượng cao.

I. Lộ trình công nghệ
Phát triển song song:

• Oxit (LLZO & LATP): tổng hợp trạng thái rắn ở nhiệt độ thấp tự phát triển với pha tạp, hạt kích thước nano (D50<500nm, D90<900nm), độ nhất quán theo mẻ >95%. Độ dẫn LLZO: 1,0 mS/cm; LATP: 1,30 mS/cm.

• Sulfua: Li₂S độ tinh khiết cao (≥99,8%, tùy chỉnh lên đến 99,9%) cho chất điện phân sulfua như LGPS và LPSCl.

• Ứng dụng: Lớp phủ màng ngăn, lớp phủ cực âm/cực dương, pha trộn điện cực và màng điện phân.

II. Giới thiệu pin
Đã thử nghiệm trong pin túi NCM811 1Ah với màng ngăn phủ LATP. Các bài kiểm tra an toàn đã vượt qua GB38031‑2020 và GB31485‑2015. Vật liệu LATP cung cấp cửa sổ điện hóa rộng và độ ổn định bề mặt tiếp xúc tuyệt vời, ngăn chặn hiệu quả sự thoát nhiệt và cho phép đạt được mật độ năng lượng cao cùng an toàn cực đoan.

III. Năng lực sản xuất

• Hiện tại: Sản xuất bột LLZO và LATP quy mô tấn; nhiều lô hàng ổn định cho các nhà sản xuất pin hàng đầu Trung Quốc.

• Mở rộng: Dây chuyền thí điểm 100–200 tấn được lên kế hoạch cho 2026–2027, với mục tiêu dài hạn trên 1.000 tấn phù hợp với nhu cầu khách hàng. Công ty đang đẩy nhanh xây dựng dây chuyền thí điểm và xúc tiến thị trường trong năm 2026.

IV. Hồ sơ công ty & Bằng sáng chế

• Được thành lập năm 1997 bởi các viện sĩ từ Đại học Công nghệ Nam Kinh, Jiuwu Hi‑Tech () là nhà tiên phong về màng gốm của Trung Quốc, giữ vị trí số 1 thị phần trong nước và top 3 toàn cầu.

• Danh hiệu: Doanh nghiệp công nghệ cao quốc gia, “Người khổng lồ nhỏ”, Nhà vô địch đơn lẻ sản xuất quốc gia, bốn Giải thưởng Tiến bộ Khoa học và Công nghệ Quốc gia, v.v.

• Doanh thu quý 1 năm 2026: 126 triệu NDT (+46,29% so với cùng kỳ); lợi nhuận ròng 15,83 triệu NDT; lợi nhuận ròng thường xuyên +13,11%.

• Sở hữu trí tuệ: Hơn 60‑80 bằng sáng chế, bao gồm công thức LATP, thiêu kết nhiệt độ thấp (<1000°C), lớp phủ bám dính cao trên màng ngăn PE/PP, lớp phủ hạt và cấu trúc màng ngăn composite.

V. Tài chính & Hợp tác

• Khách hàng: Cung cấp LATP/LLZO cho các nhà sản xuất pin hàng đầu (bao gồm CATL, BYD, EVE, Gotion) để xác nhận thí điểm; mở rộng hợp tác vật liệu sulfua.

• Vốn: Vào tháng 7 năm 2026, công ty đã tổ chức roadshow trái phiếu chuyển đổi để thảo luận về các dự án chất điện phân thể rắn và màng.

• Cổ đông lớn: Dehui Group, tập trung vào đầu tư công nghệ cao.

VI. Các mốc gần đây

• Tháng 7/2026: Công bố thành công thử nghiệm quá sạc/quá xả.

• 17/7/2026: Họp báo nhà đầu tư – cung cấp lô nhỏ cho các nhà sản xuất pin hàng đầu, mở rộng năng lực đang tiến hành.

• Tháng 5/2026: Triển lãm tại CIBF2026 với ma trận vật liệu đầy đủ (LLZO, LATP, Li₂S), thu hút sự chú ý toàn cầu.

• Tháng 4/2026: So sánh đâm xuyên – pin phủ LATP vượt qua với mức tăng <40°C so với pin lỏng >400°C (bắt lửa dữ dội).

• Tháng 3/2026: Tham gia Hội nghị Công nghệ Pin Thể rắn Toàn phần.

• Tháng 11/2025: Lớp phủ LATP cải thiện hiệu suất tốc độ ở nhiệt độ thấp bằng cách giảm trở kháng bề mặt.

**Lưu ý:** Để biết thêm chi tiết hoặc thắc mắc về phát triển pin thể rắn, vui lòng liên hệ:
Điện thoại: 021-20707860 (hoặc WeChat: 13585549799)
Liên hệ: Chaoxing Yang. Cảm ơn!