[CPCA: ในช่วงวันที่ 1-31 กรกฎาคม ยอดขายปลีกในตลาดรถยนต์โดยสารพลังงานใหม่ทั่วประเทศอยู่ที่ 970,000 คัน ลดลง 2% เมื่อเทียบกับปีก่อน]

ซัมซุงเปิดตัวต้นแบบ V10 Bonding V-NAND (BV-NAND) และโมเดลแนวคิดสถาปัตยกรรม zHBM และ zNAND-O ตัวแรกของอุตสาหกรรม ในงานประชุม Future of Memory and Storage (FMS) ณ เมืองซานตาคลารา รัฐแคลิฟอร์เนีย สหรัฐอเมริกา ชิป BV-NAND มีชั้นวงจรมากกว่า 400 ชั้น และใช้สถาปัตยกรรมการเชื่อมเวเฟอร์แบบใหม่เพื่อเพิ่มความหนาแน่นและประสิทธิภาพของหน่วยความจำ เมื่อเทียบกับ V9 NAND รุ่นก่อนหน้า ตัวนี้ให้ความหนาแน่นหน่วยความจำสูงขึ้นประมาณ 58% พร้อมทั้งประสิทธิภาพในการอ่าน เขียน และ I/O ที่ดีขึ้นอย่างมีนัยสำคัญ ตอบโจทย์ความต้องการของระบบ AI สำหรับโซลูชันหน่วยความจำความจุสูงขึ้นและประหยัดพลังงานมากขึ้น สำหรับสถาปัตยกรรม zHBM และ zNAND-O ซัมซุงเพิ่มความจุข้อมูลในขนาดที่เล็กลงได้ ด้วยการซ้อนเซลล์หน่วยความจำในแนวตั้ง แตกต่างจาก HBM ทั่วไปที่บรรจุเคียงข้างโปรเซสเซอร์ AI นั้น zHBM จะซ้อนหน่วยความจำในแนวตั้งบนตัวเร่ง AI โดยตรง ทำให้ระยะการถ่ายโอนข้อมูลสั้นลง เพิ่มแบนด์วิดท์ และเพิ่มประสิทธิภาพการใช้พลังงาน ซัมซุงระบุว่า เทคโนโลยีการเชื่อมเวเฟอร์ของบริษัทคาดว่าจะให้ความหนาแน่นหน่วยความจำมากกว่า HBM5 ทั่วไปถึง 10 เท่า เพิ่มประสิทธิภาพการใช้พลังงานขึ้น 3 เท่า และลดความต้านทานความร้อนลงมากกว่าครึ่งหนึ่ง

นักข่าวอิสระด้านเทคโนโลยี ทิม คัลแพน ชี้ว่าแผ่นเวเฟอร์หน่วยประมวลผล A20 Pro ที่ผลิตด้วยกระบวนการ N2 ของ TSMC มีอัตราผลผลิตที่ดีและกำลังการผลิตเพียงพอ โดยการผลิตชิปพร้อมแล้วในเบื้องต้น และกระบวนการนี้ไม่ใช่คอขวดที่ส่งผลต่อการจัดส่ง iPhone ทว่าจากปัญหาขาดแคลนอุปทาน DRAM อย่างหนัก ทำให้ไม่สามารถนำแผ่นเวเฟอร์หน่วยประมวลผลที่เสร็จแล้วไปบรรจุภัณฑ์ต่อได้ เกิดการสะสมสต๊อกและกดดันการสำรองสินค้าคงคลังของ Apple และซัพพลายเชน ในช่วงเพียงไม่กี่สัปดาห์ก่อนเปิดตัว iPhone 18 ซีรีส์ และ iPhone Ultra จอพับ Apple และผู้ประกอบชุดในซัพพลายเชนต่างเร่งมองหาอุปทานชิป DRAM สำหรับมือถือเพิ่มเติม ด้านอุปทาน DRAM ปัจจุบัน Apple พึ่งพา Micron Technology เป็นหลัก รวมถึงจัดหาจาก SK Hynix และ Samsung ด้วย

Tesla (TSLA.O) ประกาศว่าโครงการ "Terafab" ได้ลงหลักปักฐานอย่างเป็นทางการในกริมส์ เคาน์ตี รัฐเท็กซัส โครงการนี้ริเริ่มร่วมกันโดย SpaceX และ Tesla เมื่อต้นปีที่ผ่านมา เป็นแผนการผลิตชิปที่ใหญ่ที่สุดในโลก โดยมีเป้าหมายเพื่อลดช่องว่างมหาศาลระหว่างขีดความสามารถในการผลิตชิปของโลกในปัจจุบันกับความต้องการด้านการประมวลผลในอนาคต อันที่จริงแล้ว Terafab ในรูปแบบก่อนหน้าได้เริ่มลงเสาเข็มเมื่อเดือนเมษายน ณ วิทยาเขตเหนือของ Gigafactory เท็กซัส ซึ่งเป็นโรงงานผลิตเวเฟอร์สำหรับการวิจัยและพัฒนาแห่งใหม่ บัดนี้โครงการได้รับการยกระดับอย่างเป็นทางการและย้ายที่ตั้งไปยังกริมส์ เคาน์ตี ที่ซึ่งจะถูกพัฒนาเป็นโรงงานผลิตเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูง ความต้องการชิปรวมของ SpaceX และ Tesla คาดว่าจะเกินขีดความสามารถด้านการประมวลผล 1 เทระวัตต์ (TW) ซึ่งเป็นขนาดที่เหนือกว่าขีดความสามารถในการผลิตของโลกในปัจจุบันอย่างมาก เราขอขอบคุณซัพพลายเออร์ชิปปัจจุบันของเราเป็นอย่างยิ่ง และสนับสนุนให้พวกเขาขยายกำลังการผลิตในทุกวิถีทางที่เป็นไปได้ แต่ช่องว่างระหว่างอุปสงค์และอุปทานที่กว้างขึ้นในอนาคตคือเหตุผลหลักที่มาของโครงการ Terafab Terafab มุ่งผลิตขีดความสามารถด้านการประมวลผลใหม่ในขนาดและความเร็วที่ไม่เคยมีมาก่อน โครงการนี้วางแผนสร้างโรงงานแบบบูรณาการแนวตั้งที่มีพื้นที่การผลิตกว่า 100 ล้านตารางฟุต ครอบคลุมการผลิต บรรจุภัณฑ์ และทดสอบชิปลอจิกและหน่วยความจำขั้นสูง การรวมกระบวนการเหล่านี้ไว้ในโรงงานเดียวช่วยให้การปรับปรุงแบบวนซ้ำทำได้อย่างรวดเร็ว และเร่งการนำขีดความสามารถด้านการประมวลผลใหม่มาใช้