SK하이닉스, 1c D램용 EUV 투자 3배 확대… HBM4E 샘플 올해 출하 목표

게시됨: Apr 9, 2026 09:07
SK하이닉스는 10나노급 6세대(1c) D램의 경쟁력 강화에 속도를 내고 있으며, 해당 공정 노드에 투입되는 극자외선(EUV) 장비 투자가 당초 계획 대비 약 3배 늘어났다. 업계에 따르면 SK하이닉스는 7세대 고대역폭 메모리인 HBM4E의 핵심 칩에 적용하기 위해 1c D램 기술을 개발 중이며, 올해 샘플을 출시할 계획이다. HBM 최대 고객사인 엔비디아가 HBM4E를 탑재한 차세대 AI 가속기 '베라 루빈 울트라'를 내년 하반기 출시할 예정이어서, SK하이닉스는 연구개발 속도를 높여야 한다. 업계 관계자는 SK하이닉스의 범용 D램 기준 1c D램 수율이 80%까지 올라섰으며, 회사는 올해 D램 생산 능력의 절반 이상을 1c 공정 제품으로 전환하고 연말까지 약 19만 장 규모의 웨이퍼 생산 능력을 확보할 것으로 예상된다고 전했다.

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