[Nvidia envisagerait de réduire la capacité mémoire de la puce Rubin Ultra]

L'Association chinoise des voitures particulières (CPCA) a publié des données montrant que du 1er au 31 juillet, les ventes au détail de véhicules de tourisme à énergie nouvelle en Chine ont totalisé 970 000 unités, en baisse de 2 % en glissement annuel et de 4 % en glissement mensuel, avec des ventes au détail cumulées depuis le début de l'année atteignant 5,675 millions d'unités, en baisse de 12 % en glissement annuel; du 1er au 31 juillet, les ventes en gros de véhicules de tourisme à énergie nouvelle par les constructeurs ont atteint 1,463 million d'unités, en hausse de 24 % en glissement annuel mais en baisse de 1 % en glissement mensuel, avec des ventes en gros cumulées depuis le début de l'année atteignant 8,251 millions d'unités, en hausse de 8 % en glissement annuel. Du 1er au 31 juillet, le taux de pénétration au détail du marché national des véhicules à énergie nouvelle était de 64,4 %; le taux de pénétration en gros des véhicules de tourisme à énergie nouvelle par les constructeurs était de 65,3 %.

Samsung a dévoilé le prototype de V-NAND à liaison V10 (BV-NAND) ainsi que les premiers modèles conceptuels de l’industrie des architectures zHBM et zNAND-O lors de la conférence Future of Memory and Storage (FMS) à Santa Clara, en Californie, aux États-Unis. La puce BV-NAND comporte plus de 400 couches et adopte une nouvelle architecture de liaison de wafers pour améliorer la densité et les performances de la mémoire. Par rapport à la génération précédente V9 NAND, elle offre une densité mémoire supérieure d’environ 58 %, avec des gains significatifs en lecture, écriture et performances E/S, répondant aux besoins des systèmes d’IA en solutions mémoire de plus grande capacité et plus économes en énergie. Pour les architectures zHBM et zNAND-O, Samsung obtient une capacité de données accrue dans un encombrement réduit en empilant verticalement les cellules mémoire. Contrairement à la mémoire HBM classique, conditionnée côte à côte avec les processeurs d’IA, la zHBM empile la mémoire à la verticale au-dessus de l’accélérateur d’IA, réduisant ainsi les distances de transfert, augmentant la bande passante et améliorant l’efficacité énergétique. Samsung a indiqué que sa technologie de liaison de wafers devrait offrir une densité mémoire plus de 10 fois supérieure à celle de la HBM5 conventionnelle, améliorer l’efficacité énergétique d’un facteur 3 et réduire la résistance thermique de plus de moitié.

Le journaliste technologique indépendant Tim Culpan a souligné que les plaquettes de processeur A20 Pro produites par le processus N2 de TSMC affichent un bon rendement et une capacité suffisante, la production de processeurs étant pratiquement prête, et que ce processus n'est pas un goulot d'étranglement affectant les livraisons d'iPhone. Cependant, en raison d'une grave pénurie d'approvisionnement en DRAM, les plaquettes de processeur terminées ne peuvent pas être encapsulées par la suite, ce qui entraîne une accumulation de stocks et exerce une pression sur les stocks d'Apple et de sa chaîne d'approvisionnement. À quelques semaines de la sortie de la série iPhone 18 et de l'iPhone Ultra pliable, Apple et ses assembleurs de la chaîne d'approvisionnement cherchent urgemment à obtenir davantage de puces de DRAM mobiles. En ce qui concerne l'approvisionnement en DRAM, Apple compte actuellement principalement sur Micron Technology, tout en s'approvisionnant également auprès de SK Hynix et Samsung.