[Trữ lượng quặng thiếc tăng 45%, đạt cột mốc trong phát triển mỏ thiếc lộ thiên Bygoo tại Úc]

TOP Nanometal Corporation, một nhà sản xuất màng phún xạ chân không cuộn sang cuộn có trụ sở tại Đài Loan, đã ngừng sản xuất màng dẫn điện trong suốt Indium Tin Oxide có hiệu lực ngay lập tức. Công ty sẽ chuyển đổi toàn bộ thiết bị Indium Tin Oxide trước đây sang sản xuất đồng phún xạ cao cấp, tập trung vào Màng đồng phủ linh hoạt không keo, màng polyester phủ đồng cho màn hình đi-ốt phát sáng trong suốt và màng đồng mỏng cho điện cực linh hoạt. TOP Nanometal cho rằng quyết định này là do cạnh tranh ngày càng gay gắt và biên lợi nhuận thu hẹp trong thị trường màng Indium Tin Oxide, trong khi nhu cầu khách hàng và lợi nhuận mạnh hơn ở các sản phẩm đồng phún xạ. SMM tin rằng việc đóng cửa cho thấy màng Indium Tin Oxide thông thường đang đối mặt với sự cạnh tranh ngày càng tăng về chi phí và lợi nhuận từ các vật liệu dẫn điện gốc đồng trong một số ứng dụng điện tử linh hoạt và màn hình trong suốt. Việc chuyển đổi sẽ làm giảm nhu cầu của công ty đối với bia Indium Tin Oxide và nguyên liệu indium, mặc dù công suất màng, sản lượng, lượng mua bia và tiêu thụ indium trước đây không được tiết lộ.

Tập đoàn JX Advanced Metals có kế hoạch đầu tư tới 120 tỷ yên trong vòng 4 năm nhằm mở rộng đáng kể năng lực sản xuất đế Indi Phosphua (InP) dùng trong truyền thông quang học. Tính cả các dự án đã công bố trước đó, tổng vốn đầu tư của công ty vào lĩnh vực này sẽ đạt khoảng 150 tỷ yên. Ngoài việc mở rộng Nhà máy Isohara hiện có tại tỉnh Ibaraki, JX Advanced Metals sẽ xây dựng thêm năng lực sản xuất tại khu vực Hitachinaka, với mục tiêu nâng công suất đế InP lên khoảng 7 đến 10 lần so với hiện tại. Công ty cho biết các yêu cầu cung cấp bổ sung từ khách hàng gắn với kế hoạch mở rộng của chính họ đã tăng mạnh và nhu cầu hiện đang vượt xa dự báo trước đó. Công ty cũng sẽ thảo luận việc điều chỉnh giá với khách hàng để thiết lập khung cung ứng ổn định. SMM nhận định đây là một trong những kế hoạch mở rộng đế InP quy mô lớn ở nước ngoài rõ ràng nhất được công bố cho đến nay và sẽ tạo ra nhu cầu dài hạn đáng kể đối với indi độ tinh khiết cao. Các giai đoạn xây dựng chi tiết, thời điểm vận hành, phân bố kích thước tấm wafer và mức tiêu thụ indi tương ứng chưa được công bố.

Trymax Semiconductor Equipment đã nhận được đơn đặt hàng lớn trị giá hàng triệu đô la kéo dài nhiều năm từ Applied Optoelectronics, Inc. Trymax sẽ cung cấp các hệ thống plasma ashing và đóng rắn bằng tia cực tím để loại bỏ cặn, khắc bề mặt và xử lý vật liệu trong quá trình chế tạo wafer. Thiết bị có thể xử lý các tấm wafer Indium Phosphide (InP) có kích thước từ 3 inch đến 6 inch và sẽ được tích hợp vào cơ sở chế tạo wafer của Applied Optoelectronics tại Sugar Land, Texas. Applied Optoelectronics tự nuôi cấy và chế tạo wafer InP nội bộ để sản xuất chip laser cho các bộ thu phát quang tốc độ cao dùng trong kết nối trung tâm dữ liệu. Công ty cho biết thiết bị này sẽ hỗ trợ việc mở rộng nhanh chóng năng lực sản xuất chip laser tại Texas. SMM nhận định đơn hàng kéo dài nhiều năm cho thấy