Nhóm nghiên cứu Đại học Thanh Hoa đạt đột phá trong lĩnh vực spintronics, công bố trên Nature

Đại học Thanh Hoa thông báo rằng nhóm do Tống Thành và Phan Phong thuộc Khoa Vật liệu của trường dẫn dắt đã đạt tiến triển quan trọng về vật liệu và thiết bị spintronics, thực hiện chuyển mạch điện hiệu quả và hoàn toàn đối với trật tự phản sắt từ đối xứng chiral. Nghiên cứu này thu hẹp khoảng trống then chốt giữa các nghiên cứu cơ bản về phản sắt từ chiral và ứng dụng thiết bị, đặt nền tảng cho việc phát triển thế hệ lưu trữ từ mới với mật độ siêu cao, tốc độ đọc/ghi siêu nhanh và tiêu thụ điện năng thấp. Các kết quả liên quan đã được công bố trên Nature ngày 25/2.

Trong thí nghiệm, các tiếp giáp đồng chất Mn3Sn được chế tạo bằng epitaxy chùm phân tử, và đảo cực tính chuyển mạch ở điều kiện không từ trường đã đạt được thông qua điều khiển tiền từ hóa. Các thử nghiệm cho thấy phương pháp chuyển mạch này có khả năng chống nhiễu từ trường vượt trội. Theo bài báo, cấu hình mới tối ưu đáng kể ba chỉ số then chốt: mật độ dòng tới hạn, mức tiêu thụ điện năng và tỷ lệ giữa lực kháng Hall dị thường với mật độ dòng; trong đó chỉ số thứ ba cải thiện khoảng 100 lần so với vật liệu sắt từ