[SMM PV Flash] Экологическая оценка публично объявлена для технологической модернизации фотоэлектрических модулей Gokin Solar

На этой неделе ведущий нефтехимический производитель немного повысил расчётную цену EVA фотоэлектрического класса по сравнению с предыдущим периодом — до 11 300 юаней за тонну. Что касается затрат, колебания цен на сырьё в последнее время сузились, но остаются на относительно высоком уровне, поддерживая себестоимость EVA. В то же время некоторые нефтехимические установки последовательно вышли на техническое обслуживание, что дополнительно сократило предложение EVA. EVA вспенивающегося класса также испытывает влияние ограниченного предложения, и цены продолжают расти, оказывая определённую поддержку рынку в целом. В целом ожидается, что в краткосрочной перспективе цены на EVA фотоэлектрического класса будут консолидироваться на высоком уровне.

Недавно AIKO заключила соглашение о сотрудничестве с Infinity Power, ведущим поставщиком возобновляемой энергии в Африке, на поставку высокоэффективных ABC-модулей общей мощностью 773,5 МВт для трёх крупных солнечных электростанций в Южной Африке. С подписанием этого соглашения совокупный объём сотрудничества сторон в Африке превысил 2 ГВт, что стало ещё одной вехой в продолжающейся экспансии AIKO на рынке централизованной энергетики Ближнего Востока и Африки.

Согласно данным Государственного управления по интеллектуальной собственности, компания Hengdian Group DMEGC Magnetics Co., Ltd. подала патентную заявку под названием «Способ изготовления солнечного элемента», номер публикации CN122892299A, дата подачи заявки — июнь 2026 года. В реферате патента указано, что настоящее изобретение относится к технической области солнечных элементов и раскрывает способ изготовления солнечного элемента. Способ изготовления солнечного элемента включает: формирование первого легированного полупроводникового слоя на светопринимающей поверхности базового слоя и формирование второго легированного полупроводникового слоя на тыльной поверхности базового слоя; по меньшей мере один из первого легированного полупроводникового слоя и второго легированного полупроводникового слоя включает попеременно расположенные контактные области и бесконтактные области, при этом поверхность контактных областей выступает относительно поверхности бесконтактных областей, а концентрация легирующей примеси в контактных областях выше, чем в бесконтактных областях; либо формирование попеременно расположенных первых легированных полупроводниковых слоёв и вторых легированных полупроводниковых слоёв на тыльной поверхности базового слоя, при этом первые легированные полупроводниковые слои и вторые легированные полупроводниковые слои выполнены в качестве контактных областей; и формирование первого электрода и второго электрода. Настоящее изобретение обеспечивает дифференцированную обработку областей, снижает контактное сопротивление и повышает напряжение холостого хода и ток короткого замыкания элемента.