[Экспресс SMM по фотовольтаике] Рост цен на EVA для солнечных панелей продолжается

8 октября Управление экологии и окружающей среды города Гуанчжоу утвердило форму отчёта об оценке воздействия на окружающую среду для проекта реконструкции цеха № 101 по производству высокоэффективных фотоэлектрических модулей компании Gokin Solar (Guangzhou) Technology Co., Ltd. Согласно документу, проект расположен по адресу: проспект Хэцзинь, 2, база автомобильной промышленности, район Хуаду, город Гуанчжоу. Новый земельный участок не выделяется; общая площадь существующей территории составляет 266 532,22 м², площадь застройки — 213 018,29 м². Предприятие в основном занимается производством фотоэлектрических модулей. Данный проект предусматривает реконструкцию цеха № 101 по производству модулей, после которой годовая производственная мощность составит 27,826 млн высокоэффективных фотоэлектрических модулей (12,5217 млн N-типа TOPCon с одним стеклом 72P, 1,3913 млн N-типа BC с одним стеклом 72P, 8,3478 млн N-типа TOPCon с двойным стеклом 72P и 5,5652 млн N-типа BC с двойным стеклом 72P). Общий объём инвестиций в проект составляет 120 млн юаней, из которых 1,6 млн юаней выделено на охрану окружающей среды.

Недавно AIKO заключила соглашение о сотрудничестве с Infinity Power, ведущим поставщиком возобновляемой энергии в Африке, на поставку высокоэффективных ABC-модулей общей мощностью 773,5 МВт для трёх крупных солнечных электростанций в Южной Африке. С подписанием этого соглашения совокупный объём сотрудничества сторон в Африке превысил 2 ГВт, что стало ещё одной вехой в продолжающейся экспансии AIKO на рынке централизованной энергетики Ближнего Востока и Африки.

Согласно данным Государственного управления по интеллектуальной собственности, компания Hengdian Group DMEGC Magnetics Co., Ltd. подала патентную заявку под названием «Способ изготовления солнечного элемента», номер публикации CN122892299A, дата подачи заявки — июнь 2026 года. В реферате патента указано, что настоящее изобретение относится к технической области солнечных элементов и раскрывает способ изготовления солнечного элемента. Способ изготовления солнечного элемента включает: формирование первого легированного полупроводникового слоя на светопринимающей поверхности базового слоя и формирование второго легированного полупроводникового слоя на тыльной поверхности базового слоя; по меньшей мере один из первого легированного полупроводникового слоя и второго легированного полупроводникового слоя включает попеременно расположенные контактные области и бесконтактные области, при этом поверхность контактных областей выступает относительно поверхности бесконтактных областей, а концентрация легирующей примеси в контактных областях выше, чем в бесконтактных областях; либо формирование попеременно расположенных первых легированных полупроводниковых слоёв и вторых легированных полупроводниковых слоёв на тыльной поверхности базового слоя, при этом первые легированные полупроводниковые слои и вторые легированные полупроводниковые слои выполнены в качестве контактных областей; и формирование первого электрода и второго электрода. Настоящее изобретение обеспечивает дифференцированную обработку областей, снижает контактное сопротивление и повышает напряжение холостого хода и ток короткого замыкания элемента.