[Solar: Jordânia emite primeiras 200 aprovações de energias renováveis sob novas regras de conexão à rede]

A fabricante norte-americana de células solares Suniva concluiu uma rodada de financiamento de dívida e capital próprio no valor de 835 milhões de dólares para financiar a construção da sua segunda fábrica de células de silício monocristalino no Condado de Laurens, na Carolina do Sul. A instalação de 4,5 GW representa um investimento de cerca de 600 milhões de dólares e deverá entrar em funcionamento no final de 2027, com plena capacidade em 2028, elevando a capacidade total de células da Suniva nos EUA para 5,5 GW, incluindo a sua linha existente de 1 GW em Norcross, na Geórgia. A maior parte da produção prevista está coberta por acordos de compra de longo prazo, e o projeto deverá criar cerca de 564 postos de trabalho na indústria transformadora avançada.

A Trina Solar anunciou o fornecimento de módulos Vertex N 730-735W TOPCon tipo n para o projeto fotovoltaico flutuante Dau Tieng Fase 5, na província de Tay Ninh, Vietnã. O projeto tem capacidade instalada de 450MWac/562MWdc, é desenvolvido pela DT5.1 Energy, subsidiária da Xuan Cau Holdings, com previsão de conexão à rede em dezembro de 2027 e geração anual de aproximadamente 808 milhões de kWh. Este é um dos primeiros projetos no Vietnã a adotar o mecanismo de Contrato de Compra Direta de Energia (DPPA), e também mais um caso de fornecimento de grande porte da Trina Solar para projetos fotovoltaicos flutuantes no Vietnã, após o projeto Dam Tra O de 50,6MW em 2020.

Em 8 de setembro, a Administração Nacional de Propriedade Intelectual da China revelou que a Jinko Solar Co., Ltd. depositou um pedido de patente intitulado “Método de Detecção de Wafer e Aparelho de Detecção de Wafer”. O resumo da patente indica que o pedido se refere ao campo da tecnologia de detecção de wafers e fornece um método de detecção de wafer e um aparelho de detecção de wafer, em que o método inclui: obter um primeiro resultado de detecção de um wafer a ser inspecionado; quando o primeiro resultado de detecção indicar um wafer defeituoso, tratar o wafer a ser inspecionado como um wafer anormal detectado inicialmente e obter dados de detecção do wafer anormal detectado inicialmente; com base nos dados de detecção, determinar se existe uma fonte de interferência de imagem de detecção: se existir, eliminar a fonte de interferência de imagem de detecção e realizar um processo de detecção secundário no wafer anormal detectado inicialmente; se não existir, obter um segundo resultado de detecção do wafer anormal detectado inicialmente com base nos dados de detecção e em um modelo predefinido; e determinar, com base no segundo resultado de detecção, se o wafer anormal detectado inicialmente é um wafer defeituoso ou um wafer qualificado. A solução técnica fornecida neste pedido pode identificar e corrigir automaticamente detecções incorretas causadas por interferência ambiental externa e outros defeitos não relacionados ao corpo do wafer durante a classificação de wafers, reduzindo assim a perda de wafers resultante da identificação equivocada de wafers normais e de alta qualidade como defeituosos ou abaixo do padrão.