【Energia fotovoltaica: Trina Solar vence licitação para projeto fotovoltaico flutuante de 562 MW no Vietnã, mecanismo DPPA implementado pela primeira vez】

A Comissão Reguladora de Energia e Minerais da Jordânia emitiu as primeiras 200 aprovações para instalações de energia renovável e conexão à rede no âmbito da Lei alterada de Energia Renovável e Eficiência Energética do país, abrangendo candidatos residenciais e militares, à medida que começa a revisão do acúmulo de pedidos em todo o país. O quadro revisto oferece modelos de conexão de valor líquido, exportação zero e exportação total, e fornece uma base regulatória para que os clientes adicionem armazenamento em bateria juntamente com a geração. A capacidade solar acumulada da Jordânia era de 2.195 MW no final de 2025.

A fabricante norte-americana de células solares Suniva concluiu uma rodada de financiamento de dívida e capital próprio no valor de 835 milhões de dólares para financiar a construção da sua segunda fábrica de células de silício monocristalino no Condado de Laurens, na Carolina do Sul. A instalação de 4,5 GW representa um investimento de cerca de 600 milhões de dólares e deverá entrar em funcionamento no final de 2027, com plena capacidade em 2028, elevando a capacidade total de células da Suniva nos EUA para 5,5 GW, incluindo a sua linha existente de 1 GW em Norcross, na Geórgia. A maior parte da produção prevista está coberta por acordos de compra de longo prazo, e o projeto deverá criar cerca de 564 postos de trabalho na indústria transformadora avançada.

Em 8 de setembro, a Administração Nacional de Propriedade Intelectual da China revelou que a Jinko Solar Co., Ltd. depositou um pedido de patente intitulado “Método de Detecção de Wafer e Aparelho de Detecção de Wafer”. O resumo da patente indica que o pedido se refere ao campo da tecnologia de detecção de wafers e fornece um método de detecção de wafer e um aparelho de detecção de wafer, em que o método inclui: obter um primeiro resultado de detecção de um wafer a ser inspecionado; quando o primeiro resultado de detecção indicar um wafer defeituoso, tratar o wafer a ser inspecionado como um wafer anormal detectado inicialmente e obter dados de detecção do wafer anormal detectado inicialmente; com base nos dados de detecção, determinar se existe uma fonte de interferência de imagem de detecção: se existir, eliminar a fonte de interferência de imagem de detecção e realizar um processo de detecção secundário no wafer anormal detectado inicialmente; se não existir, obter um segundo resultado de detecção do wafer anormal detectado inicialmente com base nos dados de detecção e em um modelo predefinido; e determinar, com base no segundo resultado de detecção, se o wafer anormal detectado inicialmente é um wafer defeituoso ou um wafer qualificado. A solução técnica fornecida neste pedido pode identificar e corrigir automaticamente detecções incorretas causadas por interferência ambiental externa e outros defeitos não relacionados ao corpo do wafer durante a classificação de wafers, reduzindo assim a perda de wafers resultante da identificação equivocada de wafers normais e de alta qualidade como defeituosos ou abaixo do padrão.