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A mídia noticiou, citando a Samsung Electronics, que a Samsung Electronics abriu uma instalação de pesquisa e desenvolvimento de embalagem avançada de semicondutores em Yokohama, no Japão. A Samsung anunciou anteriormente um plano para investir cerca de 40 bilhões de ienes ao longo dos cinco anos a partir de 2024 para expandir as instalações de hardware de pesquisa do laboratório e fortalecer suas capacidades de tecnologia de embalagem avançada. O laboratório de embalagem avançada colaborará com empresas, universidades e instituições de pesquisa japonesas para desenvolver materiais e processos de embalagem de próxima geração. A Samsung planeja aumentar a equipe de pesquisa da instalação para mais de 100 pessoas até 2027.

Segundo relatos, impulsionada pelo contínuo fluxo de pedidos para o processo de 2 nanômetros, com pedidos massivos de empresas de tecnologia dos EUA como Tesla e Broadcom, a fábrica de wafers da Samsung Electronics em Taylor, Texas, iniciará a produção experimental entre o final deste mês e o início do próximo mês. A fábrica está operando atualmente em plena capacidade, e toda a produção planejada já está totalmente reservada. A taxa de rendimento do processo de 2 nanômetros era de cerca de 60% no início deste ano e recentemente atingiu aproximadamente 80%, tornando-o capaz de produção em massa. A fábrica planeja iniciar a produção em massa no próximo ano.

Segundo o Seoul Economic Daily, a Samsung Electronics desenvolverá em conjunto a tecnologia de litografia ultravioleta extrema (EUV) de alta abertura numérica (High-NA) com a ASML, a maior fabricante mundial de equipamentos de litografia. A Samsung está participando de um esforço para impulsionar uma mudança nos padrões da indústria, passando das fotomáscaras de 6 polegadas, em uso desde a década de 1980, para versões de 12 polegadas, e se esforça para ser a primeira a estabelecer um sistema de produção em massa de DRAM baseado em equipamentos EUV de alta abertura numérica. A Samsung planeja aplicar equipamentos EUV de alta abertura numérica à produção de DRAM a partir de 2028 e, posteriormente, estenderá a tecnologia ao seu processo lógico avançado de 1,4 nanômetros para impulsionar o desenvolvimento de seu negócio de fundição. Ampliar o tamanho da máscara visa compensar as limitações da tecnologia EUV. A EUV de alta abertura numérica tem uma abertura numérica 66% maior que a EUV convencional, permitindo a formação de padrões de circuito mais finos. Substituir as máscaras de 6 polegadas atualmente usadas por máscaras de 12 polegadas pode melhorar a produtividade da fábrica e reduzir os custos de fabricação de chips.