[Análise SMM] 1S 2026: “Bens em Falta” e “Liquidação de Estoque Homogêneo” Coexistem enquanto a Diferenciação Estrutural no Mercado de Ânodos à Base de Silício se Intensifica

Notícias SMM de 10 de julho:

No primeiro semestre de 2026, o mercado de materiais de ânodo à base de silício, impulsionado pela demanda de usuários finais por alta densidade de energia, apresentou melhorias tanto na capacidade quanto nos embarques. No entanto, limitado por barreiras técnicas e ciclos de certificação de clientes, o mercado exibiu uma clara divergência estrutural caracterizada por "escassez no segmento de alto padrão e excedente no de baixo padrão".

I. Análise do Cenário de Mercado no 1º Semestre de 2026

(I) Análise do Cenário no 1º Semestre: Liberação de Capacidade Mais Rápida e Embarques em Alta, mas Mercado Desigual

Segundo dados da SMM, a produção de ânodos à base de silício da China atingiu 5.100 toneladas no 1º semestre de 2026, um aumento de 45% em relação ao ano anterior, em comparação com o 1º semestre de 2025 — um crescimento impressionante. Contudo, é notável que, devido a barreiras de processo e ao efeito de fidelização de projetos designados pelos principais produtores de baterias downstream, a oferta não apresentou um cenário de "florescimento geral", mas sim uma concentração acelerada no primeiro escalão. De acordo com dados da SMM, o CR3 da indústria ultrapassou 70% no 1º semestre de 2026. Esse alto nível de concentração significa que produtores de pequeno e médio porte enfrentam desafios cada vez mais severos em validação tecnológica, controle de custos e entrega estável em larga escala, enquanto as barreiras de entrada no setor continuam a aumentar.

(II) Participação de Mercado por Rota Tecnológica

Do ponto de vista da estrutura das rotas tecnológicas, o ânodo de óxido de silício, graças ao seu longo acúmulo nos setores de eletrônicos de consumo e parte do setor de veículos elétricos, ainda representa a maior parte dos embarques de ânodos à base de silício. No entanto, em termos de mercado incremental e tendências de aplicações de alto padrão, o ânodo de carbono-silício de processo CVD está emergindo rapidamente como a "solução exclusiva" para sistemas de alto desempenho de próxima geração. Nesse contexto, embora a participação geral nos embarques da rota CVD ainda seja inferior à de outros sistemas à base de silício, sua taxa de penetração em projetos de alto padrão recém-designados já aumentou significativamente, e a mudança geracional das rotas tecnológicas é irreversível. Espera-se que sua participação de mercado se expanda ainda mais nos próximos anos.
(III) Análise da Tendência de Preços

A divergência nos preços foi o retrato mais revelador do mercado no 1º semestre. Em um cenário de capacidade efetiva restrita e altos limiares de certificação, o descompasso de curto prazo entre oferta e demanda sustentou a procura downstream por ânodos à base de silício de alto padrão, com produtos de alta qualidade em situação de "difícil obtenção" e preços demonstrando desempenho robusto. Em forte contraste, os produtos de gama baixa e média enfrentaram as pressões duplas da desaceleração do crescimento da procura e da capacidade homogénea suficiente para satisfazer as necessidades a jusante, levando a uma intensificação da concorrência em relação custo-desempenho, à queda dos preços sob pressão e ao prelúdio de uma reestruturação do setor.

II. Perspetivas de Mercado

No curto prazo: a gama alta mantém-se firme, as gamas baixa e média sob pressão

Perspetivando o segundo semestre de 2026, espera-se que os preços dos ânodos de silício de gama alta continuem a consolidar-se em máximos. Embora as linhas de produção planeadas estejam a entrar em operação sucessivamente, condicionadas pelos ciclos de certificação de clientes e pelo progresso na rampa de rendimento, o crescimento da oferta efetiva permanecerá limitado, sendo improvável que o equilíbrio apertado entre oferta e procura seja quebrado no curto prazo. Em contraste, os ânodos de silício de gama baixa e média enfrentarão o duplo aperto da libertação concentrada de novas capacidades e do crescimento moderado da procura a jusante, com um risco crescente de queda de preços e uma provável aceleração na eliminação da capacidade obsoleta.

No longo prazo: o ponto de inflexão de valor está próximo, e espera-se que o centro de preços se desloque para níveis mais baixos

No médio e longo prazo, espera-se que o custo teórico do ânodo de carbono de silício CVD tenda a descer, impulsionado por três fatores principais: primeiro, a expansão contínua da capacidade de matérias-primas, com os preços a deverem cair ainda mais; segundo, o equipamento CVD tende para uma escala maior, combinado com o aumento contínuo das taxas de localização, o que deverá reduzir significativamente os custos unitários de depreciação; terceiro, à medida que as linhas de produção de 10 mil toneladas atinjam gradualmente a produção plena, as economias de escala serão libertadas, diluindo ainda mais os custos de fabrico. Em termos globais, o ponto de inflexão de valor para os ânodos de carbono de silício é inevitável, momento em que o seu custo de capacidade unitária poderá tornar-se equivalente ou ainda mais competitivo do que a grafite, concretizando assim uma verdadeira aplicação comercial.

Pontos-chave a Observar

Os aspetos centrais da evolução subsequente do mercado concentram-se principalmente em três áreas: primeiro, se a velocidade de rampa da nova capacidade de ânodos à base de silício conseguirá alcançar um equilíbrio dinâmico com a aceitação de preços elevados a jusante; segundo, o ritmo de eliminação da capacidade obsoleta de gama baixa e média, que determinará a reconfiguração do panorama da oferta; terceiro, se as empresas de materiais conseguirão manter o seu prémio tecnológico num ambiente setorial onde "crescer não traz maior lucro", e construir um fosso competitivo de longo prazo através da iteração de produtos e da otimização de custos. A interação desses três fatores influenciará profundamente o cenário competitivo e a trajetória de desenvolvimento da indústria de materiais anódicos à base de silício nos próximos anos.

Equipe de Pesquisa em Novas Energias SMM

Wang Cong 021-51666838

Ma Rui 021-51595780

Feng Disheng 021-51666714

Lv Yanlin 021-20707875

Zhang Haohan 021-51666752

Wang Zihan 021-51666914

Wang Jie 021-51595902

Chen Bolin 021-51666836

Xu Yang 021-51666760

Xu Mengqi 021-20707868

Hu Xuejie 021-20707858

Yang Le 021-51595898

Wang Zhaoyu 021-51666827

Li Yisha 021-51666730

Huang Chencong 021-51595860

Lin Ziya 021-5166-6902