SK Hynix triplica investimento em EUV para DRAM 1c e prevê entrega de amostras de HBM4E este ano

Publicado: Apr 9, 2026 09:07

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A SK Hynix está acelerando os esforços para aumentar a competitividade de sua DRAM de sexta geração de 10 nanômetros (1c), e o investimento em equipamentos de ultravioleta extremo (EUV) para este nó de processo aumentou aproximadamente três vezes em relação ao plano original. Fontes do setor revelaram que a SK Hynix está focada em avançar a tecnologia DRAM 1c para aplicação nos chips centrais de Memória de Alta Largura de Banda de sétima geração HBM4E e planeja entregar amostras este ano. Como a NVIDIA, maior cliente de HBM, planeja lançar seu acelerador de IA de próxima geração "Vera Rubin Ultra" equipado com HBM4E no segundo semestre do próximo ano, a SK Hynix precisa acelerar seu ritmo de P&D. Fontes do setor revelaram que o rendimento da DRAM 1c da SK Hynix para DRAM de uso geral subiu para 80%. A empresa planeja converter mais da metade de sua capacidade de DRAM para produtos com processo 1c este ano e espera garantir aproximadamente 190 mil wafers de capacidade até o final do ano.

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