A Universidade Tsinghua anunciou que a equipe liderada por Song Cheng e Pan Feng, da Escola de Materiais da Tsinghua, obteve avanços significativos em materiais e dispositivos de spintrônica, alcançando uma comutação elétrica eficiente e completa da ordem antiferromagnética quiral. Esta pesquisa preenche uma lacuna crítica entre os estudos fundamentais de antiferromagnetos quirais e sua aplicação em dispositivos, estabelecendo a base para desenvolver uma nova geração de armazenamento magnético com densidade ultraelevada, velocidades de leitura/gravação ultrarrápidas e baixo consumo de energia. Os resultados relacionados foram publicados na Nature em 25 de fevereiro.
No experimento, homojunções de Mn3Sn foram preparadas por epitaxia por feixe molecular, e a inversão da polaridade de comutação em campo zero foi alcançada por meio do controle de pré-magnetização. Os testes mostraram que esse método de comutação apresenta resistência superior à interferência de campos magnéticos. Segundo o artigo, a nova configuração otimiza significativamente três métricas-chave: densidade de corrente crítica, consumo de energia e a razão entre a coercividade Hall anômala e a densidade de corrente, sendo que a terceira métrica apresentou uma melhoria de duas ordens de grandeza em relação a materiais ferromagnéticos.
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