[La Thaïlande prévoit de porter la taxe d'accise sur les véhicules électriques importés à au moins 30 % à partir de 2027]

Le contrat d'étain le plus traité au SHFE a clôturé en hausse de 0,69 % aujourd'hui à 379 980 yuans/tonne, avec une fourchette intrajournalière de 374 580 à 384 000 yuans/tonne et un volume de transactions de 53,1 milliards de yuans. Selon les dernières données hebdomadaires de SMM publiées vendredi dernier (16 octobre), les stocks sociaux de lingots d'étain en Chine sont tombés à 7 770 tonnes, avec un déstockage hebdomadaire de 980 tonnes, et les entrepôts des trois régions ont reculé simultanément. Les warrants d'étain au SHFE ont continué de baisser pour atteindre environ 3 280 tonnes, laissant l'offre livrable en bourse tendue. Le marché au comptant domestique est resté en prime, les prix au comptant par rapport au contrat le plus traité étant signalés à une prime de 2 000 yuans/tonne à la mi-octobre, nettement plus large qu'avant les vacances, et la structure de report inversé des contrats rapprochés a fourni un soutien au comptant pour les contrats à terme. Logique centrale : les stocks de lingots d'étain en Chine et à l'étranger se déstockent de concert vers des niveaux historiquement bas, aggravés par la lente reprise de la production dans l'État de Wa, au Myanmar, et les perturbations des politiques d'exportation de l'Indonésie, l'offre au comptant tendue soutenant une structure de report inversé durable. À l'avenir, il conviendra de prêter attention à la possibilité d'un approfondissement de la structure de report inversé sur le LME.

Le tableau suivant présente les mouvements des métaux ferreux et non ferreux sur le SHFE et le DCE au 19 octobre 2026.

Selon un rapport dominical du Seoul Economic Daily, Samsung Electronics adoptera le procédé 3 nanomètres de TSMC pour produire les dies de base des prochaines puces HBM personnalisées de Nvidia. Cette décision marquera la première collaboration entre Samsung et TSMC au stade de la fabrication des HBM. Citant des sources industrielles, le journal indique que Nvidia a demandé à Samsung, SK Hynix et Micron Technology d'utiliser le procédé de TSMC pour fabriquer les dies de base des NVHBM et d'employer la technologie DRAM de sixième génération pour leurs puces principales. Selon l'entreprise, les NVHBM, lancées en août de cette année, intègrent le contrôleur mémoire personnalisé de Nvidia dans le die de base, afin de parvenir à une mise en œuvre standardisée chez plusieurs fournisseurs de mémoire. D'après le Seoul Economic Daily, Samsung a accepté la demande de Nvidia après une évaluation interne, mais prévoit de continuer à utiliser son modèle de production interne pour les HBM standard et les produits personnalisés destinés à d'autres clients. Citant des sources, le journal précise que Samsung évalue également si son propre fabricant à façon peut produire les dies de base des NVHBM si la demande dépasse la capacité de TSMC.