[Samsung dévoile BV-NAND, zHBM et zNAND-O : densité 10x, efficacité énergétique 3x par rapport à HBM5]

Samsung a dévoilé le prototype de V-NAND à liaison V10 (BV-NAND) ainsi que les premiers modèles conceptuels de l’industrie des architectures zHBM et zNAND-O lors de la conférence Future of Memory and Storage (FMS) à Santa Clara, en Californie, aux États-Unis. La puce BV-NAND comporte plus de 400 couches et adopte une nouvelle architecture de liaison de wafers pour améliorer la densité et les performances de la mémoire. Par rapport à la génération précédente V9 NAND, elle offre une densité mémoire supérieure d’environ 58 %, avec des gains significatifs en lecture, écriture et performances E/S, répondant aux besoins des systèmes d’IA en solutions mémoire de plus grande capacité et plus économes en énergie.

Pour les architectures zHBM et zNAND-O, Samsung obtient une capacité de données accrue dans un encombrement réduit en empilant verticalement les cellules mémoire. Contrairement à la mémoire HBM classique, conditionnée côte à côte avec les processeurs d’IA, la zHBM empile la mémoire à la verticale au-dessus de l’accélérateur d’IA, réduisant ainsi les distances de transfert, augmentant la bande passante et améliorant l’efficacité énergétique. Samsung a indiqué que sa technologie de liaison de wafers devrait offrir une densité mémoire plus de 10 fois supérieure à celle de la HBM5 conventionnelle, améliorer l’efficacité énergétique d’un facteur 3 et réduire la résistance thermique de plus de moitié.