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SK Hynix a annoncé le 4 avoir publié conjointement avec SanDisk la première spécification standard pour la technologie mémoire de nouvelle génération High Bandwidth Flash (HBF). Il est rapporté que cette spécification standard constitue le premier résultat obtenu en environ six mois, à la suite du lancement par SK Hynix d'une collaboration sur la normalisation HBF avec SanDisk en août dernier et de la création d'une alliance en février de cette année. La spécification définit deux configurations de capacité, utilisant respectivement un empilement de puces NAND à 8 et 16 couches, et prenant en charge une capacité maximale de 512 Go. Elle établit également des normes de bande passante sur trois niveaux (Grade 1 à 3), avec des capacités de transfert de données allant d'environ 0,4 To/s à 3 To/s.

Selon l'application Qichacha, récemment, Guangdong Huaxinzhiyuan Technology Co., Ltd. a modifié son enregistrement industriel et commercial, ajoutant comme actionnaires Beijing Xiaomi Intelligent Manufacturing Equity Investment Fund Partnership (société en commandite simple), OPPO Guangdong Mobile Communications Co., Ltd., et d'autres. Les informations publiques indiquent que Huaxinzhiyuan se concentre sur la R&D et la vente de puces de gestion de batterie, et s'engage dans la localisation complète de ces puces.