SK Hynix triple ses investissements en EUV pour la DRAM 1c et vise la livraison d'échantillons HBM4E cette année

Publié: Apr 9, 2026 09:07

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SK Hynix accélère ses efforts pour renforcer la compétitivité de sa DRAM de sixième génération en 10 nanomètres (1c), et l'investissement dans les équipements de lithographie ultraviolet extrême (EUV) pour ce nœud technologique a été multiplié par environ trois par rapport au plan initial. Des sources industrielles ont révélé que SK Hynix se concentre sur le développement de la technologie DRAM 1c pour une application dans les puces cœur HBM4E de septième génération de mémoire à haute bande passante (High Bandwidth Memory), et prévoit de livrer des échantillons cette année. NVIDIA, le plus grand client de la HBM, prévoyant de lancer son accélérateur d'IA de nouvelle génération « Vera Rubin Ultra » équipé de HBM4E au second semestre de l'année prochaine, SK Hynix doit accélérer le rythme de sa R&D. Des sources industrielles ont révélé que le rendement de la DRAM 1c de SK Hynix pour la DRAM à usage général a atteint 80 %. L'entreprise prévoit de convertir plus de la moitié de sa capacité DRAM en produits au procédé 1c cette année et devrait disposer d'une capacité d'environ 190 000 wafers d'ici la fin de l'année.

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