Avance en el crecimiento a escala de oblea de semiconductores 2D impulsa la tecnología de chips post-Moore

Publicado: Apr 9, 2026 18:43

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Recientemente, un equipo de investigación conjunto de la Universidad Nacional de Tecnología de Defensa y el Instituto de Investigación de Metales de la Academia China de Ciencias logró un avance significativo en el campo del crecimiento a escala de oblea y el dopaje controlable de semiconductores bidimensionales de alto rendimiento de nuevo tipo, lo que se espera proporcione soporte clave en materiales y dispositivos para la tecnología de chips controlable de forma independiente en la era post-Moore. Los hallazgos relacionados fueron publicados recientemente en línea en la prestigiosa revista internacional *National Science Review*.

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