SK Hynix triplica su inversión en EUV para DRAM de 1c y prevé entregar muestras de HBM4E este año

Publicado: Apr 9, 2026 09:07

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SK Hynix está acelerando sus esfuerzos para mejorar la competitividad de su DRAM de sexta generación de 10 nanómetros (1c), y la inversión en equipos de ultravioleta extremo (EUV) para este nodo de proceso se ha triplicado aproximadamente en comparación con el plan original. Fuentes de la industria revelaron que SK Hynix se está enfocando en avanzar la tecnología DRAM 1c para su aplicación en los chips centrales de memoria de alto ancho de banda de séptima generación HBM4E, y planea entregar muestras este año. Dado que NVIDIA, el mayor cliente de HBM, planea lanzar su acelerador de IA de próxima generación "Vera Rubin Ultra" equipado con HBM4E en el segundo semestre del próximo año, SK Hynix debe acelerar su ritmo de I+D. Fuentes de la industria revelaron que el rendimiento de la DRAM 1c de SK Hynix para DRAM de uso general ha aumentado al 80%. La empresa planea convertir más de la mitad de su capacidad de DRAM a productos con proceso 1c este año y se espera que asegure aproximadamente 190.000 obleas de capacidad para fin de año.

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