La Universidad de Tsinghua anunció que el equipo liderado por Song Cheng y Pan Feng, de la Escuela de Materiales de Tsinghua, ha logrado avances significativos en materiales y dispositivos de espintrónica, alcanzando una conmutación eléctrica eficiente y completa del orden antiferromagnético quiral. Esta investigación salva una brecha crítica entre los estudios fundamentales de los antiferromagnetos quirales y su aplicación en dispositivos, sentando las bases para desarrollar una nueva generación de almacenamiento magnético con densidad ultraalta, velocidades de lectura/escritura ultrarrápidas y bajo consumo energético. Los resultados relacionados se publicaron en Nature el 25 de febrero.
En el experimento, se prepararon homouniones de Mn3Sn mediante epitaxia de haces moleculares, y se logró la inversión de la polaridad de conmutación en ausencia de campo mediante control de premagnetización. Las pruebas mostraron que este método de conmutación presenta una resistencia superior a la interferencia de campos magnéticos. Según el artículo, la nueva configuración optimiza de forma significativa tres métricas clave: densidad de corriente crítica, consumo energético y la relación entre la coercitividad Hall anómala y la densidad de corriente, con una mejora de dos órdenes de magnitud en la tercera métrica frente a los materiales ferromagnéticos
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