[SMM PV Flash] Nhóm nghiên cứu Trung Quốc đạt hiệu suất chứng nhận 27,31% cho pin mặt trời perovskite đảo ngược
Các nhà nghiên cứu từ Đại học Thành phố Hồng Kông, Đại học Cát Lâm và Đại học Tôn Trung Sơn đã phát triển lớp tiếp xúc phân tử entropy cao gồm ba phân tử để cải thiện giao diện chọn lọc lỗ trống trong pin mặt trời perovskite đảo ngược. Thiết bị đạt hiệu suất chuyển đổi trạng thái ổn định được chứng nhận 27,31%, được xác minh độc lập bởi Viện Giám sát và Kiểm định Đo lường Thiên Tân. Thiết kế phân tử làm tăng độ phức tạp cấu trúc để giảm sự bất ổn định của các lớp tiếp xúc đơn phân tử thông thường trong điều kiện nhiệt độ cao, đồng thời cải thiện sự thụ động hóa giao diện và vận chuyển lỗ trống. Nhóm nghiên cứu cũng tiến hành thử nghiệm độ ổn định ở 85°C và dưới ánh sáng liên tục. Được công bố trên Nature Photonics, công trình này cung cấp một phương pháp kỹ thuật giao diện mới để cải thiện cả hiệu suất và độ ổn định vận hành trong pin mặt trời perovskite đảo ngược.