[SMM Tin nhanh Điện mặt trời] Gần 8.000 hệ thống điện mặt trời châu Âu bị phát hiện lộ diện trực tuyến, làm dấy lên lo ngại về an ninh mạng

Bộ Năng lượng Mới và Tái tạo Ấn Độ (MNRE) đã đề xuất hệ thống đặt tên chuẩn hóa cho các tấm pin mặt trời trong Danh mục ALMM List-II, áp dụng mã gồm 14 ký tự chữ-số để xác định nguồn gốc polysilicon, thỏi, tấm wafer và pin, cũng như công nghệ pin, kích thước wafer và hiệu suất chuyển đổi. Hệ thống đề xuất sẽ phân biệt nguồn cung trong nước và nước ngoài, bao gồm các công nghệ PERC, TOPCon, HJT, BC và perovskite. Các mẫu pin đã hoàn tất kiểm định hoặc đã được liệt kê trong ALMM List-II cũng sẽ phải áp dụng định dạng đặt tên mới sau khi quy định cuối cùng được ban hành. Động thái này nhằm nâng cao tính minh bạch của chuỗi cung ứng và khả năng truy xuất sản phẩm, đồng thời tăng cường giám sát của Ấn Độ đối với tiêu chuẩn sản xuất trong nước và các sản phẩm năng lượng mặt trời nhập khẩu.

Các nhà nghiên cứu tại Đại học New South Wales (UNSW), hợp tác với công ty perovskite Trung Quốc UtmoLight, đã đạt được hiệu suất chuyển đổi trạng thái ổn định được chứng nhận 23,5% cho mô-đun phụ perovskite diện tích lớn. Thiết bị có kích thước khoảng 30cm x 30cm, với diện tích hoạt động 676cm², cải thiện kỷ lục hiệu suất trước đó cho các thiết bị có quy mô tương tự. Nhóm đã cải thiện hiệu suất bằng cách loại bỏ lớp oxit niken thông thường và tối ưu hóa thiết kế vật liệu và giao diện trong khi duy trì hiệu suất trong quá trình mở rộng quy mô. Giai đoạn tiếp theo sẽ tập trung phát triển các mô-đun khoảng 2,8m² để kiểm tra hiệu suất, độ ổn định và tính nhất quán trong sản xuất ở quy mô mô-đun thương mại. Việc mở rộng công nghệ perovskite từ các tế bào phòng thí nghiệm nhỏ sang các mô-đun diện tích lớn vẫn là thách thức chính cho thương mại hóa, khiến kết quả mới nhất trở thành bước tiến quan trọng hướng tới thu hẹp khoảng cách hiệu suất giữa tế bào quy mô phòng thí nghiệm và mô-đun kích thước đầy đủ.

Các nhà nghiên cứu tại Đại học Công nghệ Quảng Đông đã phát triển loại keo bạc nhiệt độ thấp từ lignin sinh khối dùng cho pin mặt trời dị thể (HJT) bằng cách thay thế một phần nhựa epoxy gốc dầu mỏ truyền thống bằng lignin biến tính. Trong công thức tối ưu, lignin thay thế khoảng 25% nhựa epoxy đồng thời cải thiện khả năng in, độ bám dính và độ dẫn điện, với điện trở tiếp xúc giảm khoảng 62%. Pin HJT sử dụng keo mới đạt hiệu suất chuyển đổi 25,96%, so với 25,01% khi dùng công thức đối chứng. Do quá trình kim loại hóa HJT phụ thuộc nhiều vào keo bạc nhiệt độ thấp, chi phí vật liệu và hiệu suất keo vẫn là những yếu tố quan trọng trong sản xuất pin, và các công thức từ lignin có thể mở ra hướng thay thế vật liệu và tối ưu hóa quy trình.