[Điện mặt trời: Jordan phê duyệt 200 dự án năng lượng tái tạo đầu tiên theo quy định đấu nối lưới điện mới]

Nhà sản xuất pin mặt trời Mỹ Suniva đã hoàn tất vòng huy động nợ và vốn cổ phần trị giá 835 triệu USD để tài trợ xây dựng nhà máy pin silicon đơn tinh thể thứ hai tại Hạt Laurens, Nam Carolina. Cơ sở 4,5 GW này thể hiện khoản đầu tư khoảng 600 triệu USD, dự kiến vận hành vào cuối năm 2027 và đạt công suất tối đa vào năm 2028, nâng tổng công suất pin tại Mỹ của Suniva lên 5,5 GW, bao gồm dây chuyền 1 GW hiện có tại Norcross, Georgia. Phần lớn sản lượng theo kế hoạch đã được bao tiêu qua các thỏa thuận dài hạn, và dự án dự kiến tạo ra khoảng 564 việc làm trong lĩnh vực sản xuất tiên tiến.

Trina Solar công bố cung cấp module Vertex N 730-735W TOPCon loại n cho dự án điện mặt trời nổi Dầu Tiếng giai đoạn 5 tại tỉnh Tây Ninh, Việt Nam. Dự án có công suất 450MWac/562MWdc, do DT5.1 Energy thuộc Xuân Cầu Holdings phát triển, dự kiến hòa lưới vào tháng 12 năm 2027, sản lượng điện hàng năm khoảng 808 triệu kWh. Đây là một trong những dự án đầu tiên tại Việt Nam áp dụng cơ chế hợp đồng mua bán điện trực tiếp (DPPA), đồng thời là dự án điện mặt trời nổi quy mô lớn tiếp theo của Trina Solar tại Việt Nam sau dự án Đầm Trà Ổ 50,6MW vào năm 2020.

Ngày 8/9, Cục Sở hữu trí tuệ quốc gia Trung Quốc công bố Công ty TNHH Jinko Solar đã nộp đơn xin cấp bằng sáng chế có tên "Phương pháp phát hiện tấm wafer và thiết bị phát hiện tấm wafer". Tóm tắt bằng sáng chế cho biết đơn này liên quan đến lĩnh vực công nghệ phát hiện tấm wafer, cung cấp phương pháp phát hiện tấm wafer và thiết bị phát hiện tấm wafer, trong đó phương pháp bao gồm: thu được kết quả phát hiện lần đầu của tấm wafer cần kiểm tra; khi kết quả phát hiện lần đầu cho thấy tấm wafer bị lỗi, coi tấm wafer cần kiểm tra là tấm wafer bất thường được phát hiện ban đầu và thu được dữ liệu phát hiện của tấm wafer bất thường được phát hiện ban đầu; dựa trên dữ liệu phát hiện, xác định xem có tồn tại nguồn nhiễu ảnh hưởng đến hình ảnh phát hiện hay không: nếu có, loại bỏ nguồn nhiễu ảnh hưởng đến hình ảnh phát hiện và thực hiện quy trình phát hiện thứ cấp đối với tấm wafer bất thường được phát hiện ban đầu; nếu không, dựa trên dữ liệu phát hiện và mô hình cài sẵn để thu được kết quả phát hiện lần hai của tấm wafer bất thường được phát hiện ban đầu; dựa trên kết quả phát hiện lần hai, xác định tấm wafer bất thường được phát hiện ban đầu là tấm wafer bị lỗi hay tấm wafer đạt tiêu chuẩn. Giải pháp kỹ thuật do đơn này cung cấp có thể tự động nhận diện và khắc phục các lỗi phát hiện sai do nhiễu từ môi trường bên ngoài và các khiếm khuyết không thuộc bản thân tấm wafer gây ra trong quá trình phân loại tấm wafer, từ đó giảm tổn thất tấm wafer do nhận diện nhầm các tấm wafer bình thường, chất lượng cao thành tấm wafer bị lỗi hoặc không đạt tiêu chuẩn.