[Qualcomm và Amazon đạt được hợp tác nhiều thế hệ để cùng thúc đẩy chip trung tâm dữ liệu AI tùy chỉnh]

Truyền thông dẫn nguồn từ Samsung Electronics cho biết, Samsung Electronics đã khai trương cơ sở nghiên cứu và phát triển đóng gói bán dẫn tiên tiến tại Yokohama, Nhật Bản. Trước đó, Samsung đã công bố kế hoạch đầu tư khoảng 40 tỷ yên trong 5 năm kể từ năm 2024 để mở rộng cơ sở vật chất nghiên cứu của phòng thí nghiệm và tăng cường năng lực công nghệ đóng gói tiên tiến. Phòng thí nghiệm đóng gói tiên tiến sẽ hợp tác với các doanh nghiệp, trường đại học và viện nghiên cứu Nhật Bản để phát triển vật liệu và quy trình đóng gói thế hệ tiếp theo. Samsung dự kiến đến năm 2027 sẽ tăng đội ngũ nhân viên nghiên cứu của cơ sở này lên hơn 100 người.

Theo báo cáo, nhờ dòng đơn hàng 2 nanomet liên tục đổ về, với lượng đơn hàng khổng lồ từ các doanh nghiệp công nghệ Mỹ như Tesla và Broadcom, nhà máy sản xuất wafer của Samsung Electronics tại Taylor, Texas sẽ bắt đầu sản xuất thử nghiệm từ cuối tháng này đến đầu tháng sau. Nhà máy hiện đang hoạt động hết công suất và toàn bộ kế hoạch sản xuất đã được đặt kín. Được biết, tỷ lệ thành phẩm của tiến trình 2 nanomet vào đầu năm nay vào khoảng 60%, gần đây đã đạt khoảng 80%, đủ điều kiện để sản xuất hàng loạt. Nhà máy dự kiến bắt đầu sản xuất hàng loạt vào năm tới.

Theo Seoul Economic Daily, Samsung Electronics sẽ cùng ASML, nhà sản xuất thiết bị quang khắc lớn nhất thế giới, phát triển công nghệ quang khắc cực tím khắc nghiệt khẩu độ số cao (High-NA EUV). Samsung đang tham gia nỗ lực thúc đẩy thay đổi tiêu chuẩn ngành, chuyển từ mặt nạ quang 6 inch vốn được sử dụng từ những năm 1980 sang phiên bản 12 inch, đồng thời nỗ lực trở thành đơn vị đầu tiên thiết lập hệ thống sản xuất hàng loạt DRAM dựa trên thiết bị High-NA EUV. Samsung dự kiến áp dụng thiết bị High-NA EUV vào sản xuất DRAM từ năm 2028, sau đó mở rộng công nghệ này sang tiến trình logic tiên tiến 1,4 nanomet để thúc đẩy phát triển mảng kinh doanh gia công chip. Việc tăng kích thước mặt nạ nhằm bù đắp những hạn chế của công nghệ EUV. High-NA EUV có khẩu độ số cao hơn 66% so với EUV thông thường, cho phép tạo ra các mẫu mạch mịn hơn. Thay mặt nạ 6 inch hiện tại bằng mặt nạ 12 inch có thể nâng cao năng suất nhà máy và giảm chi phí sản xuất chip.