[Tin nhanh SMM về thiếc: Zhenbang Intelligent: Sản phẩm đầu đọc/ghi module quang của công ty đã đạt sản xuất hàng loạt]

[SMM Nhận định thị trường thiếc buổi trưa: Căng thẳng địa chính trị kéo dài thúc đẩy tâm lý chờ đợi và quan sát gia tăng, giá thiếc mở cửa giảm và giao dịch đi ngang trong phiên sáng]

[Bản tin nhanh buổi sáng về thiếc của SMM: Hợp đồng thiếc SHFE giao dịch nhiều nhất giảm sau khi tăng nhanh trong phiên đêm, thị trường giao ngay chủ yếu giữ thái độ chờ đợi và quan sát]

SK Hynix đang đẩy nhanh nỗ lực nâng cao năng lực cạnh tranh của DRAM thế hệ thứ sáu công nghệ 10 nanomet (1c), và đầu tư vào thiết bị cực tím sâu (EUV) cho nút công nghệ này đã tăng khoảng ba lần so với kế hoạch ban đầu. Nguồn tin trong ngành tiết lộ rằng SK Hynix đang tập trung phát triển công nghệ DRAM 1c để ứng dụng trong chip lõi bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ bảy HBM4E và dự kiến giao mẫu thử trong năm nay. Do NVIDIA – khách hàng lớn nhất của HBM – có kế hoạch ra mắt bộ tăng tốc AI thế hệ tiếp theo "Vera Rubin Ultra" trang bị HBM4E vào nửa cuối năm sau, SK Hynix buộc phải đẩy nhanh tiến độ nghiên cứu và phát triển. Nguồn tin trong ngành cho biết tỷ lệ đạt chuẩn của DRAM 1c của SK Hynix dành cho DRAM đa dụng đã tăng lên 80%. Công ty có kế hoạch chuyển đổi hơn một nửa công suất DRAM sang sản phẩm quy trình 1c trong năm nay và dự kiến đạt công suất khoảng 190.000 tấm wafer vào cuối năm.