【แฟลช | TOP นาโนเมทัล ยุติการผลิตฟิล์มอินเดียมทินออกไซด์ และปรับเปลี่ยนอุปกรณ์เป็นการสปัตเตอร์ทองแดง】

เผยแพร่แล้ว: Oct 15, 2026 15:58 (GMT+8)
บริษัท ท็อป นาโนเมทัล คอร์ปอเรชัน ผู้ผลิตฟิล์มเคลือบสูญญากาศแบบม้วนต่อม้วนจากไต้หวัน ได้ยุติการผลิตฟิล์มนำไฟฟ้าโปร่งใสชนิดอินเดียมทินออกไซด์โดยมีผลทันที บริษัทจะปรับเปลี่ยนอุปกรณ์ผลิตอินเดียมทินออกไซด์เดิมทั้งหมดไปสู่การผลิตทองแดงสปัตเตอร์ระดับไฮเอนด์ โดยมุ่งเน้นผลิตภัณฑ์ฟิล์มทองแดงเคลือบแบบไม่ใช้กาว ฟิล์มโพลีเอสเตอร์เคลือบทองแดงสำหรับจอแสดงผลไดโอดเปล่งแสงโปร่งใส และฟิล์มทองแดงบางสำหรับขั้วไฟฟ้าแบบยืดหยุ่น ท็อป นาโนเมทัล ระบุว่าการตัดสินใจครั้งนี้เกิดจากการแข่งขันที่ทวีความรุนแรงขึ้นและอัตรากำไรที่ลดลงในตลาดฟิล์มอินเดียมทินออกไซด์ ขณะที่ความต้องการของลูกค้าและความสามารถในการทำกำไรของผลิตภัณฑ์ทองแดงสปัตเตอร์แข็งแกร่งกว่า เอสเอ็มเอ็มมองว่าการปิดสายการผลิตนี้แสดงให้เห็นว่าฟิล์มอินเดียมทินออกไซด์แบบดั้งเดิมกำลังเผชิญกับการแข่งขันด้านต้นทุนและความสามารถในการทำกำไรที่เพิ่มขึ้นจากวัสดุนำไฟฟ้าฐานทองแดงในงานอิเล็กทรอนิกส์แบบยืดหยุ่นและจอแสดงผลโปร่งใสบางประเภท การปรับเปลี่ยนครั้งนี้จะลดความต้องการเป้าสปัตเตอร์อินเดียมทินออกไซด์และวัตถุดิบอินเดียมของบริษัท แม้ว่ากำลังการผลิต ปริมาณผลผลิต การซื้อเป้าสปัตเตอร์ และการบริโภคอินเดียมเดิมของบริษัทจะไม่ได้รับการเปิดเผยก็ตาม

คำชี้แจงแหล่งที่มาของข้อมูล: นอกจากข้อมูลที่เปิดเผยต่อสาธารณะแล้ว ข้อมูลอื่นๆ ทั้งหมดได้รับการประมวลผลโดย SMM จากข้อมูลสาธารณะ การสื่อสารกับตลาด และการพึ่งพาแบบจำลองฐานข้อมูลภายในของ SMMข้อมูลเหล่านี้มีไว้เพื่ออ้างอิงเท่านั้น ไม่ถือเป็นข้อเสนอแนะในการตัดสินใจ

หากมีข้อสงสัยหรือต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติม กรุณาติดต่อ: lemonzhao@smm.cn
หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับวิธีการเข้าถึงรายงานการวิจัยของเรา โปรดติดต่อ:service.en@smm.cn
ข่าวที่เกี่ยวข้อง
【แฟลช | JX Advanced Metals วางแผนเพิ่มกำลังการผลิตแผ่นฐานอินเดียมฟอสไฟด์ 7 ถึง 10 เท่า】
18 นาทีที่แล้ว
【แฟลช | JX Advanced Metals วางแผนเพิ่มกำลังการผลิตแผ่นฐานอินเดียมฟอสไฟด์ 7 ถึง 10 เท่า】
อ่านเพิ่มเติม
【แฟลช | JX Advanced Metals วางแผนเพิ่มกำลังการผลิตแผ่นฐานอินเดียมฟอสไฟด์ 7 ถึง 10 เท่า】
【แฟลช | JX Advanced Metals วางแผนเพิ่มกำลังการผลิตแผ่นฐานอินเดียมฟอสไฟด์ 7 ถึง 10 เท่า】
JX Advanced Metals Corporation วางแผนลงทุนสูงสุด 1.2 แสนล้านเยนในช่วงสี่ปีเพื่อขยายกำลังการผลิตแผ่นฐานอินเดียมฟอสไฟด์ (InP) ที่ใช้ในระบบสื่อสารด้วยแสงอย่างมีนัยสำคัญ เมื่อรวมโครงการที่ประกาศไปก่อนหน้านี้ การลงทุนสะสมของบริษัทในด้านนี้จะอยู่ที่ประมาณ 1.5 แสนล้านเยน นอกจากการขยายโรงงานอิโซฮาระที่มีอยู่ในจังหวัดอิบารากิแล้ว JX Advanced Metals จะเพิ่มกำลังการผลิตในพื้นที่ฮิตาชินากะ โดยตั้งเป้าเพิ่มกำลังการผลิตแผ่นฐาน InP เป็นประมาณ 7 ถึง 10 เท่าของระดับปัจจุบัน บริษัทระบุว่าคำขอจากลูกค้าในการจัดหาเพิ่มเติมซึ่งเกี่ยวข้องกับแผนขยายกำลังการผลิตของลูกค้าเองเพิ่มขึ้นอย่างมาก และความต้องการกำลังเติบโตเกินกว่าที่คาดการณ์ไว้ก่อนหน้านี้ บริษัทจะหารือเรื่องการปรับราคากับลูกค้าเพื่อสร้างกรอบการจัดหาที่มั่นคง SMM เชื่อว่านี่เป็นหนึ่งในแผนขยายกำลังการผลิตแผ่นฐาน InP ในต่างประเทศขนาดใหญ่ที่ชัดเจนที่สุดที่ประกาศจนถึงปัจจุบัน และจะสร้างความต้องการอินเดียมความบริสุทธิ์สูงในระยะยาวอย่างมาก ทั้งนี้ ขั้นตอนการก่อสร้างโดยละเอียด กำหนดการเดินเครื่อง การกระจายขนาดเวเฟอร์ และปริมาณการใช้อินเดียมที่เกี่ยวข้องยังไม่มีการเปิดเผย
18 นาทีที่แล้ว
【แฟลช | ไทรแม็กซ์ได้รับคำสั่งซื้ออุปกรณ์หลายปีเพื่อขยายกำลังการผลิตเลเซอร์อินเดียมฟอสไฟด์ของแอปพลายด์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์】
19 นาทีที่แล้ว
【แฟลช | ไทรแม็กซ์ได้รับคำสั่งซื้ออุปกรณ์หลายปีเพื่อขยายกำลังการผลิตเลเซอร์อินเดียมฟอสไฟด์ของแอปพลายด์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์】
อ่านเพิ่มเติม
【แฟลช | ไทรแม็กซ์ได้รับคำสั่งซื้ออุปกรณ์หลายปีเพื่อขยายกำลังการผลิตเลเซอร์อินเดียมฟอสไฟด์ของแอปพลายด์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์】
【แฟลช | ไทรแม็กซ์ได้รับคำสั่งซื้ออุปกรณ์หลายปีเพื่อขยายกำลังการผลิตเลเซอร์อินเดียมฟอสไฟด์ของแอปพลายด์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์】
ไทรแมกซ์ เซมิคอนดักเตอร์ อีควิปเมนต์ ได้รับคำสั่งซื้อระยะยาวหลายปีมูลค่าหลายล้านดอลลาร์จากแอปพลายด์ ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ อิงค์ ไทรแมกซ์จะจัดหาระบบพลาสมาแอชชิงและระบบบ่มด้วยรังสียูวีสำหรับการกำจัดสารตกค้าง การกัดผิว และการปรับสภาพวัสดุในระหว่างการผลิตเวเฟอร์ อุปกรณ์นี้สามารถประมวลผลเวเฟอร์อินเดียมฟอสไฟด์ (InP) ขนาดตั้งแต่ 3 นิ้วถึง 6 นิ้ว และจะถูกติดตั้งเข้ากับโรงงานผลิตเวเฟอร์ของแอปพลายด์ ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ในเมืองชูการ์แลนด์ รัฐเท็กซัส แอปพลายด์ ออปโตอิเล็กทรอนิกส์เพาะและผลิตเวเฟอร์ InP ภายในองค์กรเพื่อผลิตชิปเลเซอร์สำหรับตัวรับส่งสัญญาณแสงความเร็วสูงที่ใช้ในการเชื่อมต่อศูนย์ข้อมูล บริษัทระบุว่าอุปกรณ์ดังกล่าวจะสนับสนุนการขยายกำลังการผลิตชิปเลเซอร์ในเท็กซัสอย่างรวดเร็ว SMM เชื่อว่าคำสั่งซื้อระยะยาวนี้บ่งชี้ว่า
19 นาทีที่แล้ว
NioBay รายงานจุดตัดการขุดเจาะใหม่ที่ Crevier
1 ชั่วโมงที่แล้ว
NioBay รายงานจุดตัดการขุดเจาะใหม่ที่ Crevier
อ่านเพิ่มเติม
NioBay รายงานจุดตัดการขุดเจาะใหม่ที่ Crevier
NioBay รายงานจุดตัดการขุดเจาะใหม่ที่ Crevier
[SMM แทนทาลัมและไนโอเบียม แฟลช] NioBay Metals รายงานผลเบื้องต้นเมื่อวันที่ 13 ตุลาคม จากโครงการขุดเจาะปี 2026 ที่โครงการครีเวียร์ แทนทาลัม-ไนโอเบียม ในรัฐควิเบก ประเทศแคนาดา บริษัทระบุว่าช่วงแร่แทนทาลัมใน 13 หลุมแรกมีเกรดสูงกว่าค่าเฉลี่ยจากการประมาณทรัพยากรล่าสุด โดย 9 หลุมมีช่วงแร่ยาวเกิน 15 เมตรเหนือค่าเฉลี่ยดังกล่าว NioBay ถือหุ้น 80.2% ในโครงการครีเวียร์ ผลลัพธ์เหล่านี้เป็นผลสำรวจ และบริษัทยังไม่ได้ประกาศทรัพยากรหรือปริมาณสำรองใหม่ การขุดเจาะประมาณ 5,000 เมตรแรกมุ่งเป้าไปยังพื้นที่ทางตอนเหนือซึ่งเคยมีเกรดแทนทาลัมสูงกว่า NioBay ระบุว่าผลเพิ่มเติมจะนำไปสู่การปรับปรุงทรัพยากรหลังจบโครงการ ซึ่งคาดว่าจะแล้วเสร็จในช่วงปลายเดือนตุลาคม การเพิ่มขึ้นของทรัพยากรหรืออุปทานแทนทาลัมและไนโอเบียมออกไซด์ในอนาคตยังไม่ได้รับการพิสูจน์ นี่ไม่ใช่การเริ่มต้นเหมืองหรือการผลิตเชิงพาณิชย์
1 ชั่วโมงที่แล้ว