[SMM PV Flash] ราคา EVA เกรดโซลาร์เซลล์ยังคงปรับตัวขึ้นต่อเนื่อง

เมื่อวันที่ 8 ตุลาคม สำนักงานนิเวศวิทยาและสิ่งแวดล้อมเทศบาลนครกว่างโจวได้อนุมัติแบบรายงานผลกระทบสิ่งแวดล้อมสำหรับโครงการปรับปรุงโมดูลโซลาร์เซลล์ประสิทธิภาพสูงของโรงงานเวิร์กช็อปโมดูล 101# ของบริษัท Gokin Solar (Guangzhou) Technology Co., Ltd. ตามเอกสาร โครงการตั้งอยู่ที่เลขที่ 2 ถนนเหอจิน ฐานอุตสาหกรรมยานยนต์ เขตฮวาตู เมืองกว่างโจว โดยไม่มีการเพิ่มที่ดินใหม่ ปัจจุบันมีพื้นที่รวม 266,532.22 ตร.ม. และพื้นที่อาคาร 213,018.29 ตร.ม. สถานประกอบการดำเนินธุรกิจหลักด้านการผลิตโมดูลโซลาร์เซลล์ โครงการนี้เป็นการปรับปรุงเวิร์กช็อปโมดูล 101# และหลังปรับปรุงจะมีกำลังการผลิตต่อปี 27.826 ล้านชิ้นของโมดูลโซลาร์เซลล์ประสิทธิภาพสูง (ชนิด N-type TOPCon กระจกเดี่ยว 72P จำนวน 12.5217 ล้านชิ้น, ชนิด N-type BC กระจกเดี่ยว 72P จำนวน 1.3913 ล้านชิ้น, ชนิด N-type TOPCon กระจกคู่ 72P จำนวน 8.3478 ล้านชิ้น และชนิด N-type BC กระจกคู่ 72P จำนวน 5.5652 ล้านชิ้น) มูลค่าการลงทุนรวมของโครงการอยู่ที่ 120 ล้านหยวน โดยจัดสรร 1.6 ล้านหยวนสำหรับการคุ้มครองสิ่งแวดล้อม

เมื่อเร็วๆ นี้ AIKO ได้ลงนามข้อตกลงความร่วมมือกับ Infinity Power ผู้จัดหาพลังงานหมุนเวียนชั้นนำในแอฟริกา เพื่อจัดส่งโมดูล ABC ประสิทธิภาพสูงขนาด 773.5 เมกะวัตต์ สำหรับโครงการโซลาร์เซลล์ระดับสาธารณูปโภค 3 แห่งในแอฟริกาใต้ ด้วยการลงนามข้อตกลงนี้ ขนาดความร่วมมือสะสมของทั้งสองฝ่ายในแอฟริกาทะลุ 2 กิกะวัตต์ นับเป็นอีกก้าวสำคัญของการขยายตัวอย่างต่อเนื่องของ AIKO ในตลาดโครงการขนาดใหญ่ทั่วตะวันออกกลางและแอฟริกา

ตามข้อมูลจากสำนักงานทรัพย์สินทางปัญญาแห่งชาติ บริษัท เหิงเตี้ยน กรุ๊ป ดีเอ็มอีจีซี แมกเนติกส์ จำกัด ได้ยื่นคำขอรับสิทธิบัตรในหัวข้อ “วิธีการเตรียมเซลล์แสงอาทิตย์” หมายเลขประกาศโฆษณา CN122892299A และวันที่ยื่นคำขอคือเดือนมิถุนายน 2026 บทคัดย่อสิทธิบัตรแสดงให้เห็นว่า การเปิดเผยนี้เกี่ยวข้องกับสาขาเทคนิคของเซลล์แสงอาทิตย์ และเปิดเผยวิธีการเตรียมเซลล์แสงอาทิตย์ วิธีการเตรียมเซลล์แสงอาทิตย์ประกอบด้วย: การสร้างชั้นสารกึ่งตัวนำเจือปนชั้นแรกบนพื้นผิวรับแสงของชั้นฐาน และการสร้างชั้นสารกึ่งตัวนำเจือปนชั้นที่สองบนพื้นผิวด้านหลังของชั้นฐาน โดยอย่างน้อยหนึ่งชั้นจากชั้นสารกึ่งตัวนำเจือปนชั้นแรกและชั้นสารกึ่งตัวนำเจือปนชั้นที่สองประกอบด้วยบริเวณสัมผัสและบริเวณไม่สัมผัสที่จัดเรียงสลับกัน โดยพื้นผิวของบริเวณสัมผัสยื่นออกมาเมื่อเทียบกับพื้นผิวของบริเวณไม่สัมผัส และความเข้มข้นของการเจือปนของบริเวณสัมผัสมากกว่าของบริเวณไม่สัมผัส หรือการสร้างชั้นสารกึ่งตัวนำเจือปนชั้นแรกและชั้นสารกึ่งตัวนำเจือปนชั้นที่สองที่จัดเรียงสลับกันบนพื้นผิวด้านหลังของชั้นฐาน โดยชั้นสารกึ่งตัวนำเจือปนชั้นแรกและชั้นสารกึ่งตัวนำเจือปนชั้นที่สองถูกกำหนดเป็นบริเวณสัมผัส และการสร้างขั้วไฟฟ้าที่หนึ่งและขั้วไฟฟ้าที่สอง การเปิดเผยนี้ทำให้เกิดการบำบัดที่แตกต่างกันตามบริเวณ ลดความต้านทานการสัมผัส และปรับปรุงแรงดันไฟฟ้าวงจรเปิดและกระแสไฟฟ้าลัดวงจรของเซลล์