โรงถลุงตะกั่วทุติยภูมิในภาคตะวันตกเฉียงเหนือของจีนขยายเวลาซ่อมบำรุง เลื่อนการกลับมาเดินเครื่องผลิตเป็นต้นเดือนตุลาคม

ตารางต่อไปนี้แสดงความเคลื่อนไหวของโลหะกลุ่มเหล็กและอโลหะในตลาด SHFE และ DCE ณ วันที่ 28 ก.ย. 2026

Sivers Semiconductors ประกาศขยายโรงงานผลิตอินเดียมฟอสไฟด์ (InP) ในกลาสโกว์ด้วยงบ 30 ล้านดอลลาร์สหรัฐ เมื่อแล้วเสร็จ คาดว่าโรงงานจะรองรับการผลิตเลเซอร์ CW DFB ได้มากกว่า 100 ล้านตัวต่อปี งานก่อสร้างจะเริ่มในช่วงครึ่งหลังของปี 2569 และตั้งเป้าเริ่มดำเนินการในไตรมาส 4 ปี 2570 Sivers เชื่อมโยงการลงทุนนี้กับการขยายตัวของลูกค้าดาต้าเซ็นเตอร์ AI และเครือข่ายออปติคัลที่คาดการณ์ไว้ และคาดว่าเลเซอร์ InP และเครื่องขยายสัญญาณออปติคัลเซมิคอนดักเตอร์จะมีบทบาทเพิ่มขึ้นในการเชื่อมต่อออปติคัลที่ประหยัดพลังงาน SMM มองว่าการขยายนี้เป็นการสนับสนุนโดยตรงระยะกลางต่ออุปสงค์อินเดียมความบริสุทธิ์สูง อย่างไรก็ตาม ยังไม่มีการเปิดเผยปริมาณการผลิต อัตราการใช้กำลังการผลิต และความเข้มข้นของการใช้อินเดียมในปัจจุบัน