[ADATA: ไตรมาส 3 ราคาหน่วยความจำปรับขึ้น 20%-30% ราคาแฟลชปรับขึ้น 35%-40%]

เผยแพร่แล้ว: Jul 8, 2026 08:58

แชร์

บันทึก

บริษัท ADATA Technology เตือนว่า ในไตรมาส 3 ปี 2026 ราคาหน่วยความจำ DRAM และ NAND Flash จะปรับเพิ่มขึ้นอีกครั้ง ส่งผลให้ราคาขายผลิตภัณฑ์หน่วยความจำและอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลสูงขึ้นอีก ประธาน ADATA นายเฉิน หลี่ไป๋ ระบุว่า ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำรายใหญ่ได้แจ้งเตือนแล้วว่า ราคาสัญญาจัดหา DRAM ในไตรมาส 3 ปี 2026 จะเพิ่มขึ้นต่อเนื่อง 20% ถึง 30% ขณะที่ราคา NAND Flash จะพุ่งขึ้นสูงถึง 35% ถึง 40% ราคาชิปหน่วยความจำทั้งสองประเภทจะยังคงปรับตัวสูงขึ้นอย่างต่อเนื่อง ซึ่งคาดว่าจะช่วยขับเคลื่อนผลประกอบการของบริษัทให้เติบโตได้อย่างยั่งยืน

คำชี้แจงแหล่งที่มาของข้อมูล: นอกจากข้อมูลที่เปิดเผยต่อสาธารณะแล้ว ข้อมูลอื่นๆ ทั้งหมดได้รับการประมวลผลโดย SMM จากข้อมูลสาธารณะ การสื่อสารกับตลาด และการพึ่งพาแบบจำลองฐานข้อมูลภายในของ SMMข้อมูลเหล่านี้มีไว้เพื่ออ้างอิงเท่านั้น ไม่ถือเป็นข้อเสนอแนะในการตัดสินใจ

หากมีข้อสงสัยหรือต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติม กรุณาติดต่อ: lemonzhao@smm.cn

หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับวิธีการเข้าถึงรายงานการวิจัยของเรา โปรดติดต่อ:service.en@smm.cn

ข่าวที่เกี่ยวข้อง

2 ชั่วโมงที่แล้ว

SHFE อะลูมิเนียมลดสถานะและปรับตัวขึ้น ทะลุเส้นค่าเฉลี่ยเคลื่อนที่ อะลูมินาดีดตัวจากระดับต่ำสุดแต่ยังคงอ่อนแอ [บทสรุปอะลูมิเนียมจาก SMM]

อ่านเพิ่มเติม

2 ชั่วโมงที่แล้ว

3 ชั่วโมงที่แล้ว

ราคาอะลูมิเนียมปรับตัวสูงขึ้น แนวโน้มการซื้อของภาคปลายน้ำลดลง และส่วนลดอลูมิเนียมใน SHFE ขยายวงกว้างขึ้น [รีวิวอลูมิเนียมสปอต SMM ช่วงกลางวัน]

อ่านเพิ่มเติม

3 ชั่วโมงที่แล้ว

4 ชั่วโมงที่แล้ว

[SK Hynix และ SanDisk เปิดตัวข้อกำหนดมาตรฐานแรกสำหรับ HBF]

อ่านเพิ่มเติม

[SK Hynix และ SanDisk เปิดตัวข้อกำหนดมาตรฐานแรกสำหรับ HBF]

SK Hynix ประกาศเมื่อวันที่ 4 ว่าได้ร่วมกับ SanDisk เปิดตัวข้อกำหนดมาตรฐานแรกสำหรับเทคโนโลยีหน่วยความจำรุ่นใหม่ High Bandwidth Flash (HBF) โดยระบุว่าข้อกำหนดนี้เป็นผลงานแรกที่สำเร็จในเวลาประมาณ 6 เดือน หลังจากที่ SK Hynix เริ่มความร่วมมือด้านการกำหนดมาตรฐาน HBF กับ SanDisk เมื่อเดือนสิงหาคมปีที่แล้ว และก่อตั้งพันธมิตรในเดือนกุมภาพันธ์ปีนี้ ข้อกำหนดดังกล่าวกำหนดรูปแบบความจุ 2 แบบ โดยใช้การซ้อนชิป NAND แบบ 8 ชั้นและ 16 ชั้นตามลำดับ รองรับความจุสูงสุด 512GB พร้อมทั้งกำหนดมาตรฐานแบนด์วิดท์ 3 ระดับ (เกรด 1 ถึง 3) โดยมีอัตราการถ่ายโอนข้อมูลตั้งแต่ประมาณ 0.4TB/s ถึง 3TB/s

4 ชั่วโมงที่แล้ว

ข่าวที่เกี่ยวข้อง

Aug 04, 2026 16:51

Aug 04, 2026 16:31

[SK Hynix และ SanDisk เปิดตัวข้อกำหนดมาตรฐานแรกสำหรับ HBF]

Aug 04, 2026 14:44

[GigaDevice GD32A7 MCU เกรดยานยนต์ เสร็จสิ้นการปรับใช้ทางเทคนิคกับ Elektrobit EB tresos]

Aug 04, 2026 14:43