āļāļąāļāļāļīāđāļ (Gasgoo)- āđāļĄāļ·āđāļāļ§āļąāļāļāļĩāđ 19 āļāļąāļāļĒāļēāļĒāļ āļāļĢāļīāļĐāļąāļāļāļąāļāļāļĨāļēāļĒāđāļāļāļĢāđāđāļāļĄāļīāļāļāļāļāļąāļāđāļāļāļĢāđāļāļīāļĨāļīāļāļāļāļāļēāļĢāđāđāļāļāđ (SiC) āļāļāļāļāļĩāļāļāļĒāđāļēāļ Inventchip āļāļĢāļ°āļāļēāļĻāļāļ§āļēāļĄāļŠāļģāđāļĢāđāļāđāļāļāļēāļĢāļĢāļ°āļāļĄāļāļļāļāļĢāļāļ Series C āđāļāļĒāļĢāļ°āļāļĄāļāļļāļāđāļāđāļāļ§āđāļē 1 āļāļąāļāļĨāđāļēāļāļŦāļĒāļ§āļ āļāļĢāļīāļĐāļąāļāđāļāđāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļĢāļāļąāļāđāļāļāļāļēāļĢāļāļāļāļ°āđāļāļĩāļĒāļāļāļļāļāļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄāđāļĨāļ°āļāļēāļĢāļāđāļēāđāļĢāļĩāļĒāļāļĢāđāļāļĒāđāļĨāđāļ§
āļāļēāļĢāļĢāļ°āļāļĄāļāļļāļāļĢāļāļāļāļĩāđāđāļāđāļĢāļąāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļĒāļāļāļāļāļļāļāđāļāļĨāļāđāļāļĄāđāļĨāļ°āļĒāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļŦāđāļāļāļēāļāļī āđāļāļĒāļĄāļĩāļŠāđāļ§āļāļĢāđāļ§āļĄāļāļēāļ CICC Capital, āļāļāļāļāļļāļāļāļļāļāļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄāļāļĨāļąāļāļāļēāļāļŠāļĩāđāļāļĩāļĒāļ§āđāļĨāļ°āļāļēāļĢāđāļāļāļāļāđāļģāļāļąāļāļāļīāđāļ, āļāļāļāļāļļāļ SDIC IC, Goldstone Investment āđāļĨāļ°āļāļ·āđāļ āđ āļāļĨāļāļāļāđāļāļāļāļ°āļāļđāļāļāļģāđāļāđāļāđāđāļāļāļēāļĢāļāļĒāļēāļĒāļāļģāļĨāļąāļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļ SiC, āļāļēāļĢāļ§āļīāļāļąāļĒāđāļĨāļ°āļāļąāļāļāļēāļāļĨāļīāļāļ āļąāļāļāđ, āđāļĨāļ°āļāļēāļĢāļŠāđāļāđāļŠāļĢāļīāļĄāļāļēāļĢāļāļĨāļēāļ
āļāđāļāļāļąāđāļāđāļāļāļĩ 2560 Inventchip āļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļ āļēāļĒāđāļāđāđāļĄāđāļāļĨ IDM āļāļĩāđāļāļĢāļāļāļāļĨāļļāļĄāļāļēāļĢāļāļāļāđāļāļ, āļāļēāļĢāļāļĨāļīāļ, āđāļĨāļ°āļāļēāļĢāļāļēāļĒāļāļļāļāļāļĢāļāđāļāļģāļĨāļąāļ SiC, āđāļāļāļāļ°āđāļāļĩāļĒāļ§āļāļąāļāļāđāđāļŠāļāļāđāļāļĢāđāļ§āļāļĢāđāđāļĨāļ°āļāļīāļāļāļ§āļāļāļļāļĄ āļāļĢāļīāļĐāļąāļāđāļāđāļāļĨāļīāļ SiC MOSFETs āļŠāļēāļĄāļĢāļļāđāļāļāļģāļāļ§āļāļĄāļēāļāļāđāļ§āļĒāļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļāđāļāļĢāļ°āļāļąāļāļāļąāđāļāļŠāļđāļāļāļāļāļāļļāļāļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄ āļāļĨāļīāļāļ āļąāļāļāđāļāļāļāļāļĢāļīāļĐāļąāļāļāļđāļāļāļģāđāļāđāļāđāļāļĒāđāļēāļāļāļ§āđāļēāļāļāļ§āļēāļāđāļāđāļāļĢāļ·āđāļāļāļāļēāļĢāđāļāļāļīāļāļāļąāđāļāļāļāļĢāļāļĒāļāļāđāđāļāļāđāļē (OBC), āļāļąāļ§āđāļāļĨāļ DC-DC, āļĢāļ°āļāļāļāļąāļāđāļāļĨāļ·āđāļāļāđāļāļāđāļē, āļāļāļĄāđāļāļĢāļŠāđāļāļāļĢāđāđāļāļĢāđ, āđāļāđāļāđāļ§āļĨāļāļēāļāļīāļāļŠāđ, āļāļēāļĢāļāļąāļāđāļāđāļāļāļĨāļąāļāļāļēāļ, āđāļŠāļēāļāļēāļĢāđāļ, āđāļĨāļ°āđāļŦāļĨāđāļāļāđāļēāļĒāđāļāļāļļāļāļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄ
āđāļāļāļĩ 2564 āļāļēāļĢāļŠāđāļāļĄāļāļāļŠāļ°āļŠāļĄāļāļāļ Inventchip āļĢāļ§āļĄāļāļķāļāļŦāļāđāļ§āļĒ SiC MOSFET āļĄāļēāļāļāļ§āđāļē 16 āļĨāđāļēāļāļŦāļāđāļ§āļĒ, āļŦāļāđāļ§āļĒ SiC Schottky barrier diodes (SBDs) 18 āļĨāđāļēāļāļŦāļāđāļ§āļĒ, āđāļĨāļ°āļŦāļāđāļ§āļĒāđāļāļĢāđāļ§āļāļĢāđ IC āđāļāļ·āļāļ 60 āļĨāđāļēāļāļŦāļāđāļ§āļĒ āļāļĢāļīāļĐāļąāļāļĒāļąāļāđāļāđāđāļāđāļēāđāļāđāļēāļŠāļđāđāļāļĨāļēāļāļāļīāļāđāļ§āļāļĢāđāđāļāļāļĢāđāļāļąāļāđāļāļĨāļ·āđāļāļāļŦāļĨāļąāļāļāļāļāļĢāļāļĒāļāļāđāđāļāļāđāļē, āļāļāļ°āđāļāļĢāļāļāļēāļĢāļāļēāļāļāļđāđāļāļĨāļīāļāļĢāļāļĒāļāļāđāđāļĨāļ°āļāļąāļāļāļĨāļēāļĒāđāļāļāļĢāđāļŦāļĨāļēāļĒāļĢāļēāļĒ



