หัวยิน อิเล็คทริค พาวเวอร์ วางแผนลงทุน 1,398 ล้านหยวน ในโครงการพลังงานลมและพลังงานแสงอาทิตย์

Sivers Semiconductors ประกาศขยายโรงงานผลิตอินเดียมฟอสไฟด์ (InP) ในกลาสโกว์ด้วยงบ 30 ล้านดอลลาร์สหรัฐ เมื่อแล้วเสร็จ คาดว่าโรงงานจะรองรับการผลิตเลเซอร์ CW DFB ได้มากกว่า 100 ล้านตัวต่อปี งานก่อสร้างจะเริ่มในช่วงครึ่งหลังของปี 2569 และตั้งเป้าเริ่มดำเนินการในไตรมาส 4 ปี 2570 Sivers เชื่อมโยงการลงทุนนี้กับการขยายตัวของลูกค้าดาต้าเซ็นเตอร์ AI และเครือข่ายออปติคัลที่คาดการณ์ไว้ และคาดว่าเลเซอร์ InP และเครื่องขยายสัญญาณออปติคัลเซมิคอนดักเตอร์จะมีบทบาทเพิ่มขึ้นในการเชื่อมต่อออปติคัลที่ประหยัดพลังงาน SMM มองว่าการขยายนี้เป็นการสนับสนุนโดยตรงระยะกลางต่ออุปสงค์อินเดียมความบริสุทธิ์สูง อย่างไรก็ตาม ยังไม่มีการเปิดเผยปริมาณการผลิต อัตราการใช้กำลังการผลิต และความเข้มข้นของการใช้อินเดียมในปัจจุบัน

เมื่อวันที่ 17 กันยายน สาขาสุยชางของสำนักนิเวศวิทยาและสิ่งแวดล้อมเมืองหลีสุ่ย มณฑลเจ้อเจียง ได้ออกประกาศสาธารณะเกี่ยวกับการรับเอกสารประเมินผลกระทบสิ่งแวดล้อมสำหรับโครงการผลิตไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์แบบเกษตรผสมผสานพลังงานแสงอาทิตย์หัวเหนิงสุยชาง ขนาด 1.5 ล้านกิโลวัตต์ ตามประกาศระบุว่า โครงการตั้งอยู่บนแปลงที่ดินสวนในหกตำบลของอำเภอสุยชาง เมืองหลีสุ่ย มณฑลเจ้อเจียง ได้แก่ ตำบลต้าเจ๋อ ตำบลฉือเหลียน ตำบลจินจู๋ ตำบลหูซาน ตำบลเจียวถาน และตำบลไช่หยวน โดยจะก่อสร้างโดยสาขาพลังงานสะอาดของบริษัท หัวเหนิง (เจ้อเจียง) เอเนอร์จี ดีเวลลอปเมนท์ จำกัด ด้วยเงินลงทุนรวม 5,186,042,300 หยวน ขนาดกำลังการผลิตตามแผนของโรงไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์ในโครงการนี้คือ กำลังการผลิตติดตั้งด้านไฟฟ้ากระแสสลับ 1,491.3 เมกะวัตต์ และกำลังการผลิตติดตั้งด้านไฟฟ้ากระแสตรง 1,514.71894 เมกะวัตต์ ระบบผลิตไฟฟ้าใช้แนวทางการผลิตแบบแบ่งบล็อกและเชื่อมต่อโครงข่ายแบบรวมศูนย์ โดยหน่วยผลิตทั้งหมดใช้อินเวอร์เตอร์แบบสตริงและแผนการเพิ่มแรงดันแบบรวมศูนย์