According to evertiq, in order to consolidate its position in power semiconductors, Infineon will invest 2 billion euros to build a new front-end fab in Malaysia to enhance its manufacturing capacity in broadband gap (SiC and GaN) semiconductors.
Infineon said that once fully equipped, the new plant will generate 2 billion euros in annual revenue from products based on silicon carbide and gallium nitride. The plant is expected to have equipment ready in the summer of 2024, and the first wafers are scheduled to ship in the second half of 2024.
In addition, Jochen Hanebeck, chief operating officer of Infineon, said in a press release that renewable energy and electric vehicles are the main drivers of strong and sustainable growth in demand for power semiconductors. And Infineon expands the production capacity of silicon carbide and gallium nitride in order to prepare for the accelerated development of the broadband gap market.
![[แฟลช | ดัชนี Imacec ของชิลีเดือนกรกฎาคมลดลง 1.5% เมื่อเทียบรายปี ร่วงหนักสุดรายเดือนนับตั้งแต่ปี 2022 เนื่องจากภาคเหมืองแร่ทรุดตัว 9.3%]](https://imgqn.smm.cn/usercenter/yunIW20251217171723.jpeg)
![[SMM โครเมียมแฟลช] ข้อตกลงวัลเทอร์รา-นอร์แธมที่อาจเกิดขึ้น อาจพลิกโฉมภูมิทัศน์โครเมียมคอนเซนเทรตของแอฟริกาใต้](https://imgqn.smm.cn/usercenter/qbMSp20251217171722.jpeg)
![การปรับลดกำลังการผลิตเริ่มส่งผลดี ขณะที่แนวโน้มราคาฟิวเจอร์สและราคาสปอตแยกทิศทาง ราคาโลหะซิลิคอนยังคงทรงตัว [บทวิเคราะห์รายสัปดาห์อุตสาหกรรมซิลิคอน SMM]](https://imgqn.smm.cn/usercenter/aNMzb20251217171724.jpg)
