[Samsung представляет BV-NAND, zHBM и zNAND-O: в 10 раз выше плотность и в 3 раза выше энергоэффективность по сравнению с HBM5]

Samsung представила прототип V10 Bonding V-NAND (BV-NAND) и первые в отрасли концептуальные модели архитектур zHBM и zNAND-O на конференции «Будущее памяти и хранения данных» (FMS), прошедшей в Санта-Кларе, Калифорния, США. Чип BV-NAND имеет более 400 слоёв и использует новую архитектуру соединения пластин для повышения плотности и производительности памяти. По сравнению с предыдущим поколением V9 NAND он обеспечивает примерно на 58% бо́льшую плотность памяти, а также значительное улучшение скорости чтения, записи и ввода-вывода, удовлетворяя потребности ИИ-систем в более ёмких и энергоэффективных решениях памяти.

В архитектурах zHBM и zNAND-O Samsung достигает большей ёмкости данных на меньшей площади за счёт вертикального расположения ячеек памяти. В отличие от традиционной HBM, размещаемой рядом с ИИ-процессорами, zHBM монтирует память вертикально поверх ИИ-ускорителя, что сокращает расстояние передачи данных, увеличивает пропускную способность и повышает энергоэффективность. Samsung заявила, что её технология соединения пластин, как ожидается, обеспечит более чем в 10 раз бо́льшую плотность памяти по сравнению с обычной HBM5, в 3 раза повысит энергоэффективность и снизит тепловое сопротивление более чем вдвое.