Южнокорейская команда 3D-печатает титановый сплав для сосуда под давлением, прошедший строгий криогенный тест

Опубликовано: Jul 1, 2025 10:57
[SMM Titanium Express] Южнокорейская команда 3D-печатает титановый сплав для сосуда под давлением, который прошёл криогенное испытание при температуре -196°C и давлении 330 бар. Сфера из Ti-6Al-4V, изготовленная методом лазерной проволочной наплавки с добавлением материала (диаметр 640 мм/ёмкость 130 л), превышает аэрокосмические требования к рабочему давлению в 220 бар, что позволяет производить на заказ компоненты для спутников и ракет-носителей.

Заявление об источниках данных: За исключением общедоступной информации, все остальные данные обрабатываются SMM на основе общедоступной информации, рыночного общения и с опорой на внутреннюю базу данных и модели SMM. Они приведены только для справки и не являются рекомендациями для принятия решений.

По любым вопросам или для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь: lemonzhao@smm.cn
Для получения дополнительной информации о доступе к нашим исследовательским отчётам обращайтесь:service.en@smm.cn
Связанные новости
Рынок сульфата марганца: высокие издержки сохраняются, спрос со стороны новой энергетики поддерживает цены, наметилась стабилизация
4 часов назад
Рынок сульфата марганца: высокие издержки сохраняются, спрос со стороны новой энергетики поддерживает цены, наметилась стабилизация
Read More
Рынок сульфата марганца: высокие издержки сохраняются, спрос со стороны новой энергетики поддерживает цены, наметилась стабилизация
Рынок сульфата марганца: высокие издержки сохраняются, спрос со стороны новой энергетики поддерживает цены, наметилась стабилизация
В последнее время на китайском рынке сульфата марганца наблюдается тенденция к формированию жёсткого ценового дна на фоне дифференцированной структуры спроса. Динамика сульфата марганца аккумуляторного и промышленного классов расходится, тогда как рынок в целом остаётся стабильным с устойчивым фундаментом.
4 часов назад
Рынок ЭМН демонстрирует сильную поддержку по себестоимости, факторы конца месяца способствуют ослаблению цен
6 часов назад
Рынок ЭМН демонстрирует сильную поддержку по себестоимости, факторы конца месяца способствуют ослаблению цен
Read More
Рынок ЭМН демонстрирует сильную поддержку по себестоимости, факторы конца месяца способствуют ослаблению цен
Рынок ЭМН демонстрирует сильную поддержку по себестоимости, факторы конца месяца способствуют ослаблению цен
В последнее время на китайском рынке ЭМН наблюдалась характерная двойственная картина «сильной поддержки со стороны себестоимости при ослаблении на максимумах» на фоне усиления отраслевой динамики спроса-предложения и затрат.
6 часов назад
Доклад о развитии индустрии полупроводников третьего поколения (2025) представлен на форуме Цзюфэншань 2026
6 часов назад
Доклад о развитии индустрии полупроводников третьего поколения (2025) представлен на форуме Цзюфэншань 2026
Read More
Доклад о развитии индустрии полупроводников третьего поколения (2025) представлен на форуме Цзюфэншань 2026
Доклад о развитии индустрии полупроводников третьего поколения (2025) представлен на форуме Цзюфэншань 2026
На церемонии открытия Форума Цзюфэншань 2026 года был представлен *Доклад о развитии индустрии полупроводников третьего поколения (2025)*. В 2025 году объём китайского рынка ВЧ-электроники на основе GaN достиг 11,9 млрд юаней, увеличившись на 9,2% в годовом исчислении; крупнейшей сферой применения стали безопасность и аэрокосмическая отрасль с объёмом рынка около 7,2 млрд юаней, что составило 60,7% рынка. В 2025 году светодиодная индустрия Китая вступила в критическую стадию глубокой перестройки и структурной трансформации: совокупная годовая стоимость продукции LED составила около 103,7 млрд юаней, снизившись на 4,4% в годовом исчислении, из которых на сегмент эпитаксиальных чипов пришлось 26,8 млрд юаней, а на сегмент корпусирования — 76,9 млрд юаней. В 2025 году объём китайского рынка силовой электроники на полупроводниках третьего поколения составил около 22,7 млрд юаней, увеличившись на 28,6% в годовом исчислении; уровень проникновения силовых электронных устройств на основе SiC и GaN на рынке силовых полупроводников достиг примерно 16,5%.
6 часов назад