[UE planeja reservar espectro de satélite para empresas locais, EUA alertam para possível retaliação]

O contrato de estanho mais negociado na SHFE fechou em alta de 0,69% hoje, a 379.980 yuans/tonelada, com variação intradiária de 374.580 a 384.000 yuans/tonelada e volume de negociação de 53,1 bilhões de yuans. De acordo com os dados semanais mais recentes da SMM divulgados na última sexta-feira (16 de outubro), o estoque social de lingotes de estanho da China caiu para 7.770 toneladas, com uma redução semanal de 980 toneladas, e os armazéns nas três localidades recuaram simultaneamente. Os warrants de estanho da SHFE continuaram a cair para cerca de 3.280 toneladas, deixando a oferta entregável na bolsa apertada. O mercado à vista doméstico permaneceu em prêmio, com os preços à vista em relação ao contrato mais negociado reportados com prêmio de 2.000 yuans/tonelada em meados de outubro, significativamente mais amplo do que antes do feriado, e a estrutura de backwardation nos contratos de curto prazo forneceu suporte do mercado à vista aos futuros. Lógica central: Os estoques de lingotes de estanho na China e no exterior estão em redução simultânea para faixas historicamente baixas, agravados pela lenta retomada da produção no Estado de Wa, em Mianmar, e pelas interrupções das políticas de exportação da Indonésia, com a oferta restrita no mercado à vista sustentando uma estrutura de backwardation contínua. No futuro, deve-se atentar para a possibilidade de aprofundamento da estrutura de backwardation na LME.

A tabela a seguir mostra a movimentação de metais ferrosos e não ferrosos na SHFE e na DCE em 19 de outubro de 2026.

Segundo uma reportagem de domingo do Seoul Economic Daily, a Samsung Electronics adotará o processo de 3 nanômetros da TSMC para produzir dies de base para os chips HBM personalizados de próxima geração da Nvidia. A medida marcará a primeira vez que a Samsung colabora com a TSMC na etapa de fabricação de HBM. Citando fontes do setor, o jornal informou que a Nvidia pediu à Samsung, à SK Hynix e à Micron Technology que usem o processo da TSMC para fabricar dies de base NVHBM e que utilizem a tecnologia DRAM de sexta geração para seus chips principais. Segundo a empresa, o NVHBM, lançado em agosto deste ano, integra o controlador de memória personalizado da Nvidia no die de base, visando alcançar uma implementação padronizada entre vários fornecedores de memória. De acordo com o Seoul Economic Daily, a Samsung aceitou o pedido da Nvidia após uma avaliação interna, mas planeja continuar usando seu modelo de produção interno para HBM padrão e produtos personalizados para outros clientes. Citando fontes, o jornal disse que a Samsung também está avaliando se sua própria fabricante contratada pode produzir dies de base NVHBM caso a demanda exceda a capacidade da TSMC.