[SMM PV Flash] Divulgação da Avaliação Ambiental para a Transformação Tecnológica do Módulo Fotovoltaico da Gokin Solar

Nesta semana, uma importante produtora petroquímica elevou ligeiramente o preço de liquidação do EVA grau fotovoltaico em relação ao ciclo anterior, para 11.300 yuans/tonelada. Do lado dos custos, as flutuações nos preços das matérias-primas diminuíram recentemente, mas permanecem em nível relativamente alto, dando suporte aos custos do EVA. Enquanto isso, algumas unidades petroquímicas entraram sucessivamente em manutenção, restringindo ainda mais a oferta de EVA. O EVA grau espumado também é afetado pela oferta restrita, com preços em alta contínua, o que confere certo suporte ao mercado como um todo. De modo geral, espera-se que os preços do EVA grau fotovoltaico se consolidem em patamar firme no curto prazo.

Recentemente, a AIKO firmou um acordo de cooperação com a Infinity Power, fornecedora líder de energia renovável na África, para fornecer 773,5 MW de módulos ABC de alta eficiência para três projetos solares de grande escala na África do Sul. Com a assinatura deste acordo, a escala acumulada de cooperação entre as duas partes na África ultrapassou 2 GW, marcando mais um marco na expansão contínua da AIKO no mercado centralizado do Oriente Médio e da África.

De acordo com a Administração Nacional de Propriedade Intelectual, a Hengdian Group DMEGC Magnetics Co., Ltd. apresentou um pedido de patente intitulado "Método para Preparar uma Célula Solar", com número de publicação CN122892299A e data de depósito em junho de 2026. O resumo da patente mostra que a presente divulgação se refere ao campo técnico de células solares e divulga um método para preparar uma célula solar. O método para preparar uma célula solar inclui: formar uma primeira camada semicondutora dopada na superfície receptora de luz de uma camada base e formar uma segunda camada semicondutora dopada na superfície traseira da camada base; pelo menos uma dentre a primeira camada semicondutora dopada e a segunda camada semicondutora dopada inclui regiões de contato e regiões sem contato dispostas alternadamente, em que a superfície das regiões de contato se projeta em relação à superfície das regiões sem contato, e a concentração de dopagem das regiões de contato é maior que a das regiões sem contato; ou, formar primeiras camadas semicondutoras dopadas e segundas camadas semicondutoras dopadas dispostas alternadamente na superfície traseira da camada base, em que as primeiras camadas semicondutoras dopadas e as segundas camadas semicondutoras dopadas são configuradas como regiões de contato; e formar um primeiro eletrodo e um segundo eletrodo. A presente divulgação alcança tratamento diferenciado por região, reduz a resistência de contato e melhora a tensão de circuito aberto e a corrente de curto-circuito da célula.