Uma equipa de investigação sul-coreana desenvolveu uma tecnologia que supera simultaneamente duas grandes limitações dos ânodos de silício convencionais: a expansão volumétrica severa e a baixa condutividade elétrica.
Para enfrentar estes desafios, a equipa concentrou-se numa estrutura matricial envolvente e utilizou um composto ternário de silício amorfo composto por níquel (Ni), zinco (Zn) e silício (Si) como matriz para o ânodo de silício. O composto ternário de silício amorfo atua como um amortecedor elástico mecanicamente, enquanto electroquimicamente fornece vias para o transporte de iões e eletrões.
Além disso, foi incorporado grafite para melhorar ainda mais a condutividade elétrica do silício e reforçar a estabilidade estrutural, resultando numa estrutura de dupla matriz que melhora o desempenho geral do ânodo.

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