[SMM Tin tức PV] DMEGC nộp đơn xin cấp bằng sáng chế cho phương pháp chế tạo pin mặt trời nhằm giảm điện trở tiếp xúc

Theo Cục Sở hữu trí tuệ quốc gia, Công ty TNHH Nam châm DMEGC Tập đoàn Hengdian đã nộp đơn đăng ký sáng chế có tên "Phương pháp chế tạo pin mặt trời", số công bố CN122892299A, ngày nộp đơn tháng 6 năm 2026.

Tóm tắt sáng chế cho thấy sáng chế này liên quan đến lĩnh vực kỹ thuật pin mặt trời và công bố phương pháp chế tạo pin mặt trời. Phương pháp chế tạo pin mặt trời bao gồm: tạo lớp bán dẫn pha tạp thứ nhất trên bề mặt nhận ánh sáng của lớp nền, và tạo lớp bán dẫn pha tạp thứ hai trên bề mặt sau của lớp nền; ít nhất một trong hai lớp bán dẫn pha tạp thứ nhất và thứ hai bao gồm các vùng tiếp xúc và vùng không tiếp xúc được bố trí xen kẽ, trong đó bề mặt của vùng tiếp xúc nhô lên so với bề mặt của vùng không tiếp xúc, và nồng độ pha tạp của vùng tiếp xúc lớn hơn nồng độ pha tạp của vùng không tiếp xúc; hoặc, tạo các lớp bán dẫn pha tạp thứ nhất và lớp bán dẫn pha tạp thứ hai được bố trí xen kẽ trên bề mặt sau của lớp nền, trong đó các lớp bán dẫn pha tạp thứ nhất và lớp bán dẫn pha tạp thứ hai được cấu hình làm vùng tiếp xúc; và tạo điện cực thứ nhất và điện cực thứ hai. Sáng chế này thực hiện xử lý phân vùng khác biệt, giảm điện trở tiếp xúc, đồng thời cải thiện điện áp hở mạch và dòng ngắn mạch của pin.