El Instituto Nacional de Tecnología de Kumoh Desarrolla Material de Ánodo de Silicio de Alto Rendimiento Aplicable a Baterías de Iones de Litio y de Estado Sólido

Un equipo de investigación surcoreano ha desarrollado una tecnología que supera simultáneamente dos grandes limitaciones de los ánodos de silicio convencionales: la severa expansión volumétrica y la baja conductividad eléctrica.

Para abordar estos desafíos, el equipo se centró en una estructura matricial circundante y utilizó un compuesto ternario de silicio amorfo compuesto por níquel (Ni), zinc (Zn) y silicio (Si) como matriz para el ánodo de silicio. El compuesto ternario de silicio amorfo actúa mecánicamente como un amortiguador elástico, mientras que electroquímicamente proporciona vías para el transporte de iones y electrones.

Además, se incorporó grafito para mejorar aún más la conductividad eléctrica del silicio y reforzar la estabilidad estructural, dando como resultado una estructura de doble matriz que mejora el rendimiento general del ánodo.