[SMM 주석 시황: SHFE 주석 0.69% 상승 마감, SHFE 백워데이션 구조 견조 유지]

다음 표는 2026년 10월 19일 SHFE와 DCE의 철금속 및 비철금속 움직임을 보여줍니다.

서울경제일보의 일요일 보도에 따르면, 삼성전자가 엔비디아의 차세대 맞춤형 HBM 칩용 베이스 다이를 생산하기 위해 TSMC의 3나노 공정을 채택할 예정이다. 이는 삼성이 HBM 제조 단계에서 TSMC와 협력하는 첫 사례가 될 전망이다. 업계 소식통을 인용한 이 신문은 엔비디아가 삼성, SK하이닉스, 마이크론 테크놀로지에 NVHBM 베이스 다이 제조에 TSMC 공정을 사용하고, 코어 칩에는 6세대 D램 기술을 적용할 것을 요청했다고 전했다. 회사 측에 따르면 올해 8월 출시된 NVHBM은 엔비디아의 맞춤형 메모리 컨트롤러를 베이스 다이에 통합해 여러 메모리 공급업체 간 표준화된 구현을 목표로 한다. 서울경제일보에 따르면 삼성은 내부 평가 후 엔비디아의 요청을 수용했지만, 표준 HBM과 다른 고객용 맞춤형 제품에는 자체 생산 모델을 계속 사용할 계획이다. 소식통을 인용해 이 신문은 삼성이 TSMC의 생산 능력을 초과하는 수요가 발생할 경우 자체 파운드리가 NVHBM 베이스 다이를 생산할 수 있는지도 평가 중이라고 보도했다.

파이낸셜타임스에 따르면 앤드루 푸즈더 주EU 미국대사는 EU가 미국 경쟁업체의 유럽 시장 일부 접근을 제한하는 계획을 계속 추진할 경우 워싱턴이 유럽 기업들에 “파괴적”인 보복 조치를 취할 수 있다고 경고했다. 올해 유럽연합 집행위원회는 스마트폰이 위성에 직접 연결될 수 있게 하는 주파수 대역의 일부를 유럽 기업들이 사용하도록 배정하는 방안을 제안했다. 이는 미국 기업을 포함한 비EU 사업자가 사용할 수 있는 주파수를 제한하게 된다. 보복 가능성에 대해 유럽 기업들이 우려해야 하느냐는 질문에 푸즈더 대사는 미국 시장의 막대한 규모를 고려할 때 유럽 기업들은 “이런 일이 일어날 것을 우려해야 한다. 이들 기업에 매우 심각한 타격이 될 것이기 때문”이라고 말했다. 푸즈더 대사는 유럽이 민감한 정부 정보를 보호할 권리가 있다는 점은 인정하면서도, 법안이 자국 기업을 우대하고 미국 경쟁업체를 억압하는 데 사용되어서는 안 된다고 경고했다. 푸즈더 대사는 “목표가 미국의 경쟁력을 약화시키는 것이라면, 그것이 그러한 법안의 정당한 목적이라고 생각하지 않는다. 미국 기업의 경쟁력을 떨어뜨린다고 해서 유럽 기업의 경쟁력이 높아지는 것은 아니다”라고 말했다.