중국 서북부 2차 납 제련소, 정비 연장으로 생산 재개 10월 초로 연기
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Sivers Semiconductors가 글래스고의 인화인듐(InP) 제조 시설에 3천만 달러 규모의 확장 투자를 발표했다. 완공 시 이 시설은 연간 1억 개 이상의 CW DFB 레이저 생산을 지원할 것으로 예상된다. 공사는 2026년 하반기에 시작되며, 가동 목표 시점은 2027년 4분기다. Sivers는 이번 투자를 AI 데이터센터 및 광 네트워킹 고객 수요 증가와 연계했으며, 에너지 효율적인 광 연결에서 InP 레이저와 반도체 광 증폭기의 역할이 커질 것으로 기대하고 있다. SMM은 이번 확장이 고순도 인듐 수요에 대한 직접적인 중기 지원 요인으로 보고 있다. 다만 현재 생산량, 가동률, 인듐 사용 집약도는 공개되지 않았다.
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