[삼성, BV-NAND, zHBM, zNAND-O 공개: HBM5 대비 밀도 10배, 에너지 효율 3배]

삼성전자는 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 FMS(Future of Memory and Storage) 콘퍼런스에서 V10 본딩 V-NAND(BV-NAND) 프로토타입과 업계 최초의 zHBM 및 zNAND-O 아키텍처 컨셉트 모델을 공개했다. BV-NAND 칩은 400개 이상의 층을 쌓고 새로운 웨이퍼 본딩 구조를 도입해 메모리 밀도와 성능을 높였다. 기존 V9 NAND 대비 메모리 밀도가 약 58% 향상되었으며 읽기·쓰기·입출력 성능이 크게 개선돼, AI 시스템의 고용량·고효율 메모리 요구를 충족한다.

zHBM과 zNAND-O 아키텍처에서는 메모리 셀을 수직으로 적층해 작은 면적에서 더 큰 데이터 용량을 구현한다. 기존 HBM이 AI 프로세서와 나란히 패키징되는 것과 달리, zHBM은 AI 가속기 위에 메모리를 수직으로 쌓아 데이터 전송 거리를 단축하고 대역폭과 에너지 효율을 높인다. 삼성전자는 자사의 웨이퍼 본딩 기술이 기존 HBM5 대비 메모리 밀도를 10배 이상, 에너지 효율을 3배 향상시키고 열 저항을 절반 이하로 줄일 것으로 전망했다.