[Kementerian Perdagangan dan delapan departemen lainnya: Terapkan secara mendalam inisiatif khusus "AI + Manufaktur", dorong penelitian dan pengembangan serta penerapan produk cerdas berbasis sistem operasi sumber terbuka yang aman dan andal]

Kontrak timah SHFE yang paling banyak diperdagangkan ditutup naik 0,69% hari ini di 379.980 yuan/mt, dengan kisaran intraday 374.580-384.000 yuan/mt dan omzet 53,1 miliar yuan. Menurut data mingguan terbaru SMM yang dirilis Jumat lalu (16 Oktober), inventaris sosial ingot timah China turun menjadi 7.770 mt, dengan destocking mingguan sebesar 980 mt, dan gudang di ketiga lokasi mengalami penurunan secara bersamaan. Waran timah SHFE terus menurun menjadi sekitar 3.280 mt, membuat pasokan yang dapat diserahkan ke bursa menjadi ketat. Pasar spot domestik tetap dalam kondisi premium, dengan harga spot terhadap kontrak yang paling banyak diperdagangkan dilaporkan pada premium 2.000 yuan/mt pada pertengahan Oktober, jauh lebih lebar dibandingkan sebelum liburan, dan struktur backwardation pada kontrak bulan dekat memberikan dukungan spot terhadap futures. Logika inti: Inventaris ingot timah di China dan luar negeri mengalami destocking secara bersamaan ke kisaran terendah historis, diperparah oleh lambatnya pemulihan produksi di Negara Bagian Wa, Myanmar, dan gangguan dari kebijakan ekspor Indonesia, dengan pasokan spot yang ketat mendukung struktur backwardation yang berkelanjutan. Ke depan, perhatian harus diberikan pada kemungkinan pendalaman struktur backwardation di LME.

Tabel berikut menunjukkan pergerakan logam besi dan non-besi di SHFE dan DCE pada 19 Okt 2026.

Menurut laporan Minggu oleh Seoul Economic Daily, Samsung Electronics akan mengadopsi proses 3 nanometer TSMC untuk memproduksi base die bagi chip HBM kustom generasi berikutnya milik Nvidia. Langkah ini akan menandai pertama kalinya Samsung berkolaborasi dengan TSMC dalam tahap manufaktur HBM. Mengutip sumber industri, surat kabar tersebut menyatakan Nvidia telah meminta Samsung, SK Hynix, dan Micron Technology untuk menggunakan proses TSMC dalam memproduksi base die NVHBM dan menggunakan teknologi DRAM generasi keenam untuk chip inti mereka. Menurut perusahaan, NVHBM yang dirilis pada Agustus tahun ini mengintegrasikan pengontrol memori kustom Nvidia ke dalam base die, bertujuan mencapai implementasi terstandarisasi di berbagai pemasok memori. Menurut Seoul Economic Daily, Samsung menerima permintaan Nvidia setelah evaluasi internal tetapi berencana tetap menggunakan model produksi internal untuk HBM standar dan produk kustom bagi klien lain. Mengutip sumber, surat kabar tersebut menyatakan Samsung juga sedang mengevaluasi apakah pabrik pengecorannya sendiri dapat memproduksi base die NVHBM jika permintaan melebihi kapasitas TSMC.