[SMM Berita PV] DMEGC Ajukan Paten Metode Pembuatan Sel Surya untuk Mengurangi Resistansi Kontak

Menurut Administrasi Kekayaan Intelektual Nasional, Hengdian Group DMEGC Magnetics Co., Ltd. telah mengajukan permohonan paten berjudul "Metode untuk Menyiapkan Sel Surya," dengan nomor publikasi CN122892299A dan tanggal pengajuan Juni 2026.

Abstrak paten menunjukkan bahwa pengungkapan ini berkaitan dengan bidang teknis sel surya dan mengungkapkan metode untuk menyiapkan sel surya. Metode untuk menyiapkan sel surya meliputi: membentuk lapisan semikonduktor terdoping pertama pada permukaan penerima cahaya dari lapisan dasar, dan membentuk lapisan semikonduktor terdoping kedua pada permukaan belakang lapisan dasar; setidaknya salah satu dari lapisan semikonduktor terdoping pertama dan lapisan semikonduktor terdoping kedua mencakup daerah kontak dan daerah non-kontak yang disusun secara bergantian, di mana permukaan daerah kontak menonjol relatif terhadap permukaan daerah non-kontak, dan konsentrasi doping daerah kontak lebih besar daripada daerah non-kontak; atau, membentuk lapisan semikonduktor terdoping pertama dan lapisan semikonduktor terdoping kedua yang disusun secara bergantian pada permukaan belakang lapisan dasar, di mana lapisan semikonduktor terdoping pertama dan lapisan semikonduktor terdoping kedua dikonfigurasi sebagai daerah kontak; dan membentuk elektroda pertama dan elektroda kedua. Pengungkapan ini mencapai perlakuan terdiferensiasi secara regional, mengurangi resistansi kontak, dan meningkatkan tegangan rangkaian terbuka serta arus hubung singkat sel.